Toshiba Electronics Europe GmbH telah mengembangkan MOSFET SiC berperingkat 2200V baru dengan SBD tertanam untuk digunakan dalam aplikasi 1500VDC seperti inverter PV, pengisi daya EV, konverter DC-DC frekuensi tinggi, dan sistem penyimpanan energi. Perangkat baru ini menyederhanakan desain inverter dan meningkatkan kepadatan daya, mengurangi ukuran dan berat. Inverter tiga tingkat konvensional menampilkan kerugian peralihan yang rendah karena …
Inverter tiga tingkat konvensional menunjukkan kerugian switching yang rendah karena tegangan off-state pada perangkat switching adalah setengah dari tegangan saluran. Sebagai perbandingan, inverter dua tingkat memiliki modul switching yang lebih sedikit sehingga membuatnya lebih sederhana, lebih kecil, dan lebih ringan. Namun, mereka memerlukan perangkat semikonduktor dengan tegangan tembus yang lebih tinggi, karena tegangan yang diberikan adalah tegangan saluran. Memenuhi tantangan ini penting […]
ST STE07DE220 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan fitur spesifik, aplikasi, dan peringkat maksimum. Berikut informasi yang Anda berikan: Fitur: Aplikasi: Deskripsi: STE07DE220 diproduksi menggunakan struktur hibrida, menggabungkan teknologi Bipolar tegangan tinggi dan MOSFET tegangan rendah. Desain hybrid ini bertujuan untuk memberikan kinerja optimal pada ESBT (Emitter-Switched Bipolar …
Mitsubishi BKO-NC1122-H03 merupakan modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang diproduksi oleh Mitsubishi Electric. Berikut adalah peringkat maksimum dan karakteristik modul ini: Model: BKO-NC1122-H03 Peringkat Maksimum Absolut (Tc=25°C kecuali ditentukan lain): Modul IGBT ini diberi peringkat untuk tegangan kolektor-emitor maksimum 600V dan kolektor maksimum arus 150A. Memiliki […]
Mitsubishi CM1200HC-66H merupakan modul IGBT dengan fitur sebagai berikut: Berikut adalah rating maksimum dan karakteristik modul: Selain itu, berikut beberapa karakteristik kelistrikan modul: Modul memiliki torsi pemasangan M6 (sekrup pemasangan) dan berat sekitar 1.5kg.
Modul IGBT Infineon DDB6U215N16L – Dioda Penyearah Jembatan Arus Tinggi Infineon DDB6U215N16L adalah modul IGBT berkinerja tinggi yang menggabungkan konfigurasi jembatan dengan enam elemen. Spesifikasi utama modul DDB6U215N16L meliputi: Nomor Komponen Pabrikan: DDB6U215N16LPbkode bebas: Ya (Bebas Timah)Produsen: Infineon TECHNOLOGIES AGECCN Kode: EAR99 (Peraturan Administrasi Ekspor 99)Konfigurasi: Jembatan, 6 ElemenJenis Dioda: Dioda Penyearah Jembatan Maju …