30 Januari 2024 — Menurut laporan, banyak pabrik chip diperkirakan akan memulai produksi massal di Jepang pada tahun 2024, yang akan merangsang pertumbuhan dan perkembangan rantai pasokan semikonduktor domestik Jepang dan meningkatkan kemampuan manufaktur chip Jepang. Di Kota Kikuyo, Prefektur Kumamoto, Jepang, Japan Advanced Semiconductor Manufacturing (JASM), diinvestasikan oleh TSMC, Sony dan […]
Pengurutan yang tepat dari beberapa power rail dalam suatu sistem merupakan fungsi penting dan dapat dicapai dengan menggunakan pendekatan yang berbeda. Desainer berpengalaman tahu bahwa salah satu periode paling berisiko dalam siklus pengoperasian suatu produk adalah saat daya dihidupkan. Fase penyalaan ini adalah saat masing-masing dari beberapa rel listrik harus muncul…
Spesifikasi Listrik: Karakteristik Fisik: Detail Tambahan: Deskripsi: Jelajahi kemampuan kinerja tinggi Infineon FZ400R12KE3, modul N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) aktif dengan arus kolektor 650 A dan tegangan kolektor-emitor 1200 V. Modul ini dirancang dengan dioda internal untuk meningkatkan fungsionalitas. Pemasangan flensa, paket persegi panjang dengan…
Modul IGBT Semikron SKKD 46/12 – Panduan Lengkap Jelajahi fitur dan spesifikasi modul IGBT Semikron SKKD 46/12, dioda berkinerja tinggi dengan struktur semikonduktor dalam seri ganda. Diproduksi oleh Semikron, modul ini dirancang untuk berbagai aplikasi, memastikan keandalan dan efisiensi. Spesifikasi Utama: Informasi Tambahan: Dioda Semikron ini, dengan …
Modul IGBT Fuji 1MBI300N-120: Fitur: Aplikasi: Peringkat dan Karakteristik Maksimum:
12 Januari 2024 — Renesas Electronics mengumumkan pada 11 Januari bahwa mereka telah mencapai kesepakatan akhir untuk mengakuisisi Transphorm, Inc., pemimpin global dalam semikonduktor daya galium nitrida (“GaN”) yang kuat. Nilai transaksi Transformorm sekitar $339 juta. Akuisisi ini akan memberi Renesas teknologi GaN internal, material utama generasi berikutnya untuk semikonduktor daya, […]
Jelajahi fitur-fitur canggih dan spesifikasi Modul IGBT SANREX DF150AA160 dalam lembar data komprehensif ini. Ideal untuk berbagai aplikasi seperti penggerak motor AC dan DC, AVR, dan peralihan tiga fase, modul ini menawarkan keandalan tinggi dan kinerja efisien. Dengan suhu persimpangan maksimum 150°C dan pasivasi kaca yang unik, ini memberikan solusi yang kuat […]
8 Januari 2024 — onsemi baru-baru ini mengumumkan peluncuran sembilan modul terintegrasi daya (PIM) EliteSiC baru yang menyediakan kemampuan pengisian daya dua arah untuk pengisi daya kendaraan listrik ultra-cepat (EV) DC dan sistem penyimpanan energi (ESS). Solusi berbasis silikon karbida akan secara dramatis meningkatkan biaya sistem dengan efisiensi yang lebih tinggi dan mekanisme pendinginan yang lebih sederhana sehingga dapat mengurangi ukuran […]
Modul IGBT Semikron SKKT 106B16 E – Spesifikasi, Fitur, dan Aplikasi Jelajahi Modul IGBT Semikron SKKT 106B16 E yang kuat, perangkat semikonduktor mutakhir yang dirancang untuk berbagai aplikasi. Berikut adalah spesifikasi utamanya: Didesain dengan mempertimbangkan presisi dan keandalan, Semikron SKKT 106B16 E menawarkan kinerja unggul dalam modul yang ringkas, sehingga cocok untuk …