FSC NDS355N in magazzino

#NDS355N FSC NDS355N Nuovo NDS355N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30 V, 1.6 A, 125 mΩ, 3000 BOBINE; NDS355N, immagini NDS355N, prezzo NDS355N, fornitore #NDS355N
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Codice produttore: NDS355N
Marchio: ON semiconduttore
Codice Pbfree: Attivo
Ihs Produttore: ON Semiconduttore
Descrizione del pacchetto: PICCOLO CONTORNO, R-PDSO-G3
Codice confezione produttore: 527AG
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.21.00.95
Produttore: ON Semiconduttore
Grado di rischio: 0.94
Caratteristica aggiuntiva: COMPATIBILE CON LIVELLO LOGICO
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 30 V
Scarico corrente-max (ID): 1.6 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.085 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-30: R-PDSO-G3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: SI
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Ora
Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento del livello logico a canale N 30 V, 1.6 A, 125 mΩ, 3000 REEL