Il Fuji 6MBP100KB060 IGBT (Insulated Gate Bipolare Transistor) modulo. È progettato per applicazioni ad alta potenza, tra cui azionamenti industriali, alimentatori, sistemi di energia rinnovabile e controllo motori.
Ecco alcune specifiche chiave per il 6MBP100KB060 IGBT modulo:
voltaggio Valutazione:
Collettore-emettitore voltaggio (Vce): 600V
Tensione gate-emettitore (Vge): ±20V
Valutazione attuale:
Corrente di collettore (IC): 100 A
Corrente collettore (picco) (Icp): 200A
Corrente di collettore (continua) (IC segue): 100A
Potenza nominale:
Massima potenza dissipata (Pd): 520W
Massima potenza dissipata (picco) (Pdp): 1300W
Caratteristiche di commutazione:
Frequenza di commutazione (fsw): fino a diversi kHz
Tempo di accensione (tonnellate): in genere nell'intervallo di decine di nanosecondi
Tempo di spegnimento (toff): in genere nell'intervallo di centinaia di nanosecondi
Specifiche termiche:
Resistenza termica (Rth): Tipicamente nell'intervallo di pochi gradi Celsius per watt (°C/W)
Temperatura massima di giunzione (Tj max): 150°C