Il Fuji 6MBP150RA060-02 è un IGBT (Transistor bipolare a gate isolato) modulo con caratteristiche specifiche e valutazioni massime. Ecco una ripartizione delle sue specifiche principali:
Caratteristiche:
- Protezione della temperatura: Il modulo fornisce protezione termica rilevando direttamente la temperatura di giunzione degli IGBT. Questa funzione garantisce che il dispositivo funzioni entro un intervallo di temperatura sicuro.
- Bassa perdita di potenza e commutazione morbida: Il modulo è progettato per una bassa perdita di potenza e una commutazione graduale, migliorando l'efficienza e riducendo lo stress sui componenti.
- Elevate prestazioni e affidabilità: È dotato di IGBT ad alte prestazioni e alta affidabilità con protezione dal riscaldamento elettrico, garantendo un funzionamento stabile ed efficiente.
- Circuito di controllo semplificato: Il modulo ha una maggiore affidabilità grazie alla riduzione del numero di parti nel circuito di controllo integrato, semplificando la progettazione complessiva.
Valori nominali massimi (Tc=25°C se non diversamente specificato):
- Tensione collettore-emettitore (Vces): 600V
- Tensione gate-emettitore (VGES): ± 20V
- Corrente continua di collettore (Ic): 150A
- Corrente di collettore (Icp 1ms): 300 A (per una durata di 1 millisecondo)
- Dissipazione di potenza del collettore (Pc): 595W
- Tensione di isolamento (VIso): 2500 V CA per 1 minuto
- Temperatura operativa di giunzione (Tj): Fino a +150°C
- Temperatura di stoccaggio (Tstg): -40 A + 125 ° C
- Coppia di serraggio delle viti di montaggio: Vite M5 con una coppia di 3.5 * 6 N·m
Questo modulo IGBT è adatto per applicazioni ad alta potenza in cui sono essenziali una commutazione efficiente e una gestione della temperatura.