#7MBP100NA060-01 Fuji 7MBP100NA060-01 New Insulated Gate Bipolare Transistor 100A I(C) 600V V(BR)CES N-Channel, immagini 7MBP100NA060-01, prezzo 7MBP100NA060-01, fornitore #7MBP100NA060-01
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice articolo produttore: 7MBP100NA060-01
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Produttore IHS: FUJI ELECTRIC CO LTD
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-PUFM-X22
Produttore: Fuji Electric Co Ltd
Grado di rischio: 5.84
Caratteristica aggiuntiva: ALTA AFFIDABILITÀ
Collettore Corrente-Max (IC): 100 A.
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 600 V
Configurazione: COMPLESSO
Codice JESD-30: R-PUFM-X22
Numero di elementi: 7
Numero di terminali: 22
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: Transistor BIP con gate isolato
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Transistor Materiale dell'elemento: SILICONE
Tempo di spegnimento-Nom (toff): 3600 ns
Tempo di accensione-Nom (tono): 300 ns
VCEsat-Max: 2.9 V
Transistor bipolare a gate isolato 100A I (C) 600V V (BR) CES N-Channel