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Descrizione PM50502C
Potenza N-Channel al silicio MOSFET modulo. Commutazione di potenza ad alta velocità, 50 A, 500 V.
PM50502C 0.65 libbre
Target_Applicazioni
PM50502C può essere utilizzato in inverter, convertitori, chopper CC, riscaldamento a induzione, convertitori da CC a CC.
Caratteristiche
. Dotato di Power MOS FET
. Bassa resistenza all'accensione
. Commutazione ad alta velocità
. Bassa corrente di azionamento
. Ampia area di funzionamento sicuro
. Diodo parallelo intrinseco tra Source e Drain
.Base isolata dal terminale
. Adatto per driver motore, commutazione Regolatore e così via.
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 500V
Porta-emettitore voltaggio VGES: ± 20 V.
Corrente del collettore IC: 50A
Corrente di collettore Icp: 100A
Dissipazione potenza collettore Pc: 300W
Tensione collettore-emettitore VCES: 2000V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C