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Description du PM50502C
Puissance Silicium N-Channel MOSFET module. Commutation de puissance à grande vitesse, 50 A, 500 V.
PM50502C 0.65 livres
Cible_Applications
Le PM50502C peut être utilisé dans les onduleurs, les convertisseurs, les hacheurs CC, le chauffage par induction, les convertisseurs CC-CC.
Fonctionnalités:
. Équipé du Power MOS FET
. Faible résistance à l'enclenchement
. Commutation à grande vitesse
. Faible courant d'entraînement
. Large zone de fonctionnement sûr
. Diode parallèle inhérente entre la source et le drain
.Base isolée du terminal
. Convient pour pilote de moteur, commutation Régulateur et etc.
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur Tension Vces: 500 V
Porte-émetteur Tension VGES: ± 20 V
Courant de collecteur IC: 50A
Courant de collecteur Icp: 100A
Dissipation de puissance du collecteur Pc: 300W
Tension collecteur-émetteur VCES: 2000V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C