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Descrição PM50502C
Potência do Silicon N-Channel MOSFET módulo. Comutação de energia de alta velocidade, 50 A, 500 V.
PM50502C 0.65 libras
Alvo_Aplicativos
PM50502C pode ser usado em inversores, conversores, choppers DC, aquecimento por indução, conversores DC para DC
Funcionalidades
. Equipado com Power MOS FET
. Resistência baixa
. Comutação de alta velocidade
. Baixa corrente de acionamento
. Ampla área de operação segura
. Díodo paralelo inerente entre a fonte e a drenagem
.Base isolada do terminal
. Adequado para driver de motor, comutação Regulador e etc.
Classificações e características máximas
. Avaliações máximas absolutas (Tc = 25 ° C, a menos que sem especificação)
Coletor-Emissor Voltagem Vces: 500V
Emissor de porta Voltagem VGES: ± 20V
Corrente de coletor IC: 50A
Corrente do coletor Icp: 100A
Dissipação de energia do coletor Pc: 300W
Tensão do coletor-emissor VCES: 2000V
Temperatura de junção operacional Tj: + 150 ° C
Temperatura de armazenamento Tstg: -40 a + 125 ° C