#BSM100GD120DN2 Infineon BSM100GD120DN2 Nuovo IGBT: 100A 1200V; Moduli IGBT 1200V 100A FL BRIDGE, immagini BSM100GD120DN2, prezzo BSM100GD120DN2, fornitore #BSM100GD120DN2
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM100GD120DN2
Produttore: Infineon
Categoria di prodotto: moduli IGBT
RoHS: SI
Marchio: Infineon Technologies
Prodotto: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: esadecimale
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 2.5 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 150 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 nA
Pd - Dissipazione di potenza: 680 W.
Confezione / Custodia: EconoPACK 3A
Temperatura operativa massima: + 150 C
Emettitore Gate massimo voltaggio: 20 V
Temperatura di esercizio minima: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Quantità confezione da fabbrica: 10
IGBT: 100A 1200V; Moduli IGBT 1200V 100A FL BRIDGE
Shunlongwei ha ispezionato ogni BSM100GD120DN2 prima della spedizione, tutti i BSM100GD120DN2 con 6 mesi di garanzia.