#BSM100GD120DN2 Infineon BSM100GD120DN2 Novo IGBT: 100A 1200V; Módulos IGBT 1200V 100A FL BRIDGE, imagens BSM100GD120DN2, preço BSM100GD120DN2, fornecedor #BSM100GD120DN2
———————————————————————
Email: sales@shunlongwei.com
———————————————————————
Email: sales@shunlongwei.com
———————————————————————
BSM100GD120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria do Produto: Módulos IGBT
RoHS: SIM
Marca: Infineon Technologies
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Hex
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.5 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 150 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 680 W
Embalagem / caixa: EconoPACK 3A
Temperatura máxima de operação: + 150 C
Emissor máximo de porta Voltagem: 20 V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
IGBT: 100A 1200V; Módulos IGBT 1200V 100A FL BRIDGE
Shunlongwei inspecionado todos os BSM100GD120DN2 antes do envio, todos os BSM100GD120DN2 com 6 meses de garantia.