Infineon BSM75GAL120DN2 Disponibile

#BSM75GAL120DN2 Infineon BSM75GAL120DN2 Nuovo transistor bipolare a gate isolato 105A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel HALF BRIDGE GAL 1 7 PIN, immagini BSM75GAL120DN2, prezzo BSM75GAL120DN2, # BSM75GAL120DN2 fornitore
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Codice articolo produttore: BSM75GAL120DN2
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: non consigliato
Ihs Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Codice del pacchetto di parti: MODULO
Descrizione del pacchetto: HALF BRIDGE GAL 1, 7 PIN
Numero pin: 7
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Technologies AG
Collegamento case: ISOLATO
Corrente massima del collettore (IC): 105 A.
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 1200 V
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Tensione Gate-Emitter-Max: 20 V.
Codice JESD-30: R-XUFM-X7
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 7
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 625 W.
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: Transistor BIP con gate isolato
Montaggio superficiale: NO
Posizione terminale: SUPERIORE

Transistor bipolare a gate isolato 105A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel HALF BRIDGE GAL 1 7 PIN