Infineon BSM75GAL120DN2 В наличии

#БСМ75ГАЛ120ДН2 Infineon BSM75GAL120DN2 Новый биполярный транзистор с изолированным затвором 105A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel HALF BRIDGE GAL 1 7 PIN, изображения BSM75GAL120DN2, цена BSM75GAL120DN2, поставщик # BSM75GAL120DN2
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/bsm75gal120dn2.html

-----------------------

Номер детали производителя: BSM75GAL120DN2
Код без содержания свинца: Да
Код жизненного цикла детали: не рекомендуется
Производитель IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Код упаковки детали: МОДУЛЬ
Описание упаковки: HALF BRIDGE GAL 1, 7 PIN
Количество контактов: 7
Код ECCN: EAR99
Производитель: Infineon Technologies AG
Подключение кейса: ИЗОЛИРОВАННОЕ
Максимальный ток коллектора (IC): 105 A
Коллектор-эмиттер напряжение-Макс: 1200 В
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Напряжение затвор-эмиттер-Макс: 20 В
Код JESD-30: R-XUFM-X7.
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 7
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: НЕ УКАЗАНО
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: КРЕПЛЕНИЕ ФЛАНЦА
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 625 Вт
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: BIP-транзисторы с изолированным затвором
Поверхностное крепление: НЕТ
Положение клеммы: ВЕРХНИЙ

Биполярный транзистор с изолированным затвором 105A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel HALF BRIDGE GAL 1 7 PIN