Infineon BSM75GAL120DN2 มีในสต็อก

#BSM75GAL120DN2 Infineon BSM75GAL120DN2 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ประตูฉนวนใหม่ 105A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel HALF BRIDGE GAL 1 7 PIN, BSM75GAL120DN2 รูปภาพ BSM75GAL120DN2 ราคา # BSM75GAL120DN2 ผู้จัดจำหน่าย
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/bsm75gal120dn2.html

-----------------------

หมายเลขผู้ผลิต: BSM75GAL120DN2
รหัส Pbfree: ใช่
รหัสวงจรชีวิตส่วนหนึ่ง: ไม่แนะนำ
ผู้ผลิต Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
รหัสแพ็คเกจชิ้นส่วน: โมดูล
รายละเอียดแพ็คเกจ: HALF BRIDGE GAL 1, 7 PIN
จำนวนพิน: 7
รหัส ECCN: EAR99
ผู้ผลิต: Infineon Technologies AG
การเชื่อมต่อกรณี: ISOLATED
นักสะสมปัจจุบัน - สูงสุด (IC): 105 A
นักสะสม-Emitter แรงดันไฟฟ้า- สูงสุด: 1200 V.
การกำหนดค่า: เดี่ยวพร้อมไดโอดในตัว
Gate-Emitter Voltage-Max: 20 โวลต์
รหัส JESD-30: R-XUFM-X7
จำนวนองค์ประกอบ: 1
จำนวนขั้ว: 7
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: 150 ° C
วัสดุของตัวเครื่องบรรจุภัณฑ์: ไม่ได้ระบุ
รูปร่างแพ็คเกจ: RECTANGULAR
รูปแบบแพ็คเกจ: FLANGE MOUNT
อุณหภูมิ Reflow สูงสุด (Cel): ไม่ได้ระบุ
ขั้ว / ประเภทช่อง: N-CHANNEL
กำลังงานสูญเสีย - สูงสุด (Abs): 625 W.
สถานะการรับรอง: ไม่ผ่านการรับรอง
ประเภทย่อย: Insulated Gate BIP Transistors
เมาท์พื้นผิว: NO
ตำแหน่งเทอร์มินัล: บน

ประตูฉนวนทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ 105A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel HALF BRIDGE GAL 1 7 PIN