Caratteristiche del prodotto:
- Elevata capacità di cortocircuito con corrente di cortocircuito autolimitante.
- VCE(sat) con coefficiente di temperatura positivo.
- CHIP IGBT progettato per un'elevata robustezza, utilizzando il design SPT+ altamente robusto.
- Caratteristiche di perdita ultrabassa ed elevata robustezza.
- Diodi a ricircolo con recupero inverso rapido e morbido.
applicazioni:
- Controllo del motore CA
- Controllo del movimento/servo
- Inverter e alimentatori
- Applicazioni fotovoltaiche/celle a combustibile
Valutazioni e caratteristiche massime: (Valutazioni massime assolute, Tc=25°C se non diversamente specificato)
- Tensione collettore-emettitore (Vces): 1700V
- Tensione gate-emettitore (VGES): ±20V
- Corrente del collettore (Ic): 75A
- Corrente di collettore (Icp): 150A
- Dissipazione di potenza del collettore (PC): 535 W
- Tensione collettore-emettitore (VCES): 4000V
- Temperatura operativa di giunzione (Tj): +150°C
- Temperatura di stoccaggio (Tstg): da -40 a +125°C
- Coppia della vite di montaggio: 2.5-5 N·m
- Peso: 160g