MinebeaMitsumi espande la produzione di IGBT in Giappone

Aggiornamento: 6 luglio 2023

Jun 1, 2023 /Semimedia/ — MinebeaMitsumi ha recentemente annunciato che espanderà il suo Semiconduttore capacità produttiva a Chitose, Hokkaido, e prevede di triplicare la capacità produttiva di IGBTs per il controllo energetico entro il 2024 rispetto al 2021.

La fabbrica Chitose di MinebeaMitsumi era precedentemente nota come Hitachi, con un'area di costruzione totale di 36,500 metri quadrati. Attualmente, la fabbrica produce principalmente analogico Semiconduttore dispositivi, con una capacità produttiva mensile di circa 40,000 wafer da 6 pollici.

MinebeaMitsumi mira ad aumentare le vendite del suo analogo semiconduttore affari da 79 miliardi di yen nell’anno fiscale terminato a marzo 2023 a 114 miliardi di yen nell’anno fiscale terminato a marzo 2026.

MinebeaMitsumi ha affermato che l'attuale capacità di produzione è insufficiente per soddisfare la domanda. A partire dal 2021, il IGBT la capacità produttiva era di 10,000 pezzi al mese basata su wafer da 6 pollici. Entro il 2024 circa, l'azienda prevede di aumentare la sua capacità di produzione mensile a circa 30,000 wafer da 6 pollici.

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