MinebeaMitsumi expande a produção de IGBT no Japão

Atualização: 6 de julho de 2023

J1º de janeiro de 2023 /Semimídia/ — A MinebeaMitsumi anunciou recentemente que irá expandir sua Semicondutores capacidade de produção em Chitose, Hokkaido, e planeja triplicar a capacidade de produção de IGBTs para controle de energia até 2024 em comparação com 2021.

A fábrica Chitose da MinebeaMitsumi era anteriormente conhecida como Hitachi, com uma área total de construção de 36,500 metros quadrados. Atualmente, a fábrica produz principalmente analógico Semicondutores dispositivos, com uma capacidade de produção mensal de cerca de 40,000 wafers de 6 polegadas.

MinebeaMitsumi pretende aumentar as vendas de seu analógico Semicondutor negócios de 79 bilhões de ienes no ano fiscal encerrado em março de 2023 para 114 bilhões de ienes no ano fiscal encerrado em março de 2026.

A MinebeaMitsumi disse que a capacidade de produção atual é insuficiente para atender à demanda. A partir de 2021, o IGBT a capacidade de produção era de 10,000 peças por mês com base em wafers de 6 polegadas. Por volta de 2024, a empresa planeja aumentar sua capacidade de produção mensal para cerca de 30,000 wafers de 6 polegadas.

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