MinebeaMitsumi étend sa production d'IGBT au Japon

Mise à jour : 6 juillet 2023

J1 un 2023 /Semimédia/ — MinebeaMitsumi a récemment annoncé qu'elle allait étendre sa Semi-conducteurs capacité de fabrication à Chitose, Hokkaido, et prévoit de tripler la capacité de production de IGBTs pour le contrôle de la puissance d’ici 2024 par rapport à 2021.

L'usine de Chitose de MinebeaMitsumi était autrefois connue sous le nom d'Hitachi, avec une superficie totale de construction de 36,500 XNUMX mètres carrés. À l'heure actuelle, l'usine produit principalement de l'analogique Semi-conducteurs dispositifs, avec une capacité de production mensuelle d'environ 40,000 6 tranches de XNUMX pouces.

MinebeaMitsumi vise à augmenter les ventes de son analogue semi-conducteur activité de 79 milliards de yens au cours de l’exercice se terminant en mars 2023 à 114 milliards de yens au cours de l’exercice se terminant en mars 2026.

MinebeaMitsumi a déclaré que la capacité de production actuelle est insuffisante pour répondre à la demande. Dès 2021, le IGBT la capacité de production était de 10,000 6 pièces par mois sur la base de tranches de 2024 pouces. D'ici 30,000 environ, la société prévoit d'augmenter sa capacité de production mensuelle à environ 6 XNUMX tranches de XNUMX pouces.

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