#FM600TU-07A Mitsubishi FM600TU-07A Nuovo effetto di campo di potenza Transistor 300 A I(D) 75 V 0.00073ohm 6 elementi Canale N Ossido metallico di silicio Semiconduttore FET MODULO-14, immagini FM600TU-07A, prezzo FM600TU-07A, fornitore #FM600TU-07A
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FM600TU-07A
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 75V
Porta-emettitore voltaggio VGES: ± 20 V.
Corrente del collettore IC: 300A
Corrente di collettore Icp: 600A
Dissipazione potenza collettore Pc: 960W
Tensione collettore-emettitore VCES: 2500V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C
Coppia delle viti di montaggio 3.5 * 1 N · m
Peso Valore tipico 600 g
Peso Valore tipico 600 g
Transistor a effetto di campo di potenza 300A I(D) 75V 0.00073ohm 6 elementi N-Channel Silicon metal-ossido Semiconduttore MODULO FET-14
Shunlongwei ha ispezionato ogni FM600TU-07A prima della spedizione, tutti gli FM600TU-07A con 6 mesi di garanzia.