Il Fuji 1MBi2400VD-170E è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) con le seguenti caratteristiche e specifiche: Caratteristiche: Applicazioni: Valori nominali e caratteristiche massime: Coppia delle viti di montaggio: 3.5 N·m (Newton-metri)
Il FUJI 2MBI600VN-120-50 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) progettato per applicazioni ad alta potenza che richiedono commutazione ad alta velocità e azionamento di tensione. Ecco le specifiche e le caratteristiche di questo modulo IGBT: Caratteristiche: Applicazioni: Il modulo IGBT FUJI 2MBI600VN-120-50 può essere utilizzato in varie applicazioni, tra cui: Valori nominali e caratteristiche massime (a Tc=25°C se non diversamente specificato):
Il Fuji 2MBI600VE-120 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) con caratteristiche e capacità specifiche progettate per varie applicazioni elettroniche di potenza. Caratteristiche principali: Applicazioni: Valori nominali e caratteristiche massime (Tc=25°C se non specificato): Il modulo IGBT Fuji 2MBI600VE-120 è progettato per gestire applicazioni ad alta potenza come azionamenti di motori, amplificatori, alimentatori e macchine industriali. La sua alta velocità […]
Caratteristiche principali di FF450R12KT4: Meraviglie elettriche: Prestazioni meccaniche: Valori nominali e caratteristiche massime (Tc=25°C se non specificato):
Modulo IGBT Fuji 1MBI600PX-120: soluzione di alimentazione ad alte prestazioni per diverse applicazioni Il modulo IGBT Fuji 1MBI600PX-120 è un modulo di potenza ad alte prestazioni progettato per varie applicazioni di elettronica di potenza. Questo modulo è dotato di funzionalità che ne esaltano le prestazioni e la versatilità. Caratteristiche Applicazioni Valori nominali e caratteristiche massime (Tc=25°C se non diversamente specificato) Il modulo 1MBI600PX-120 offre […]
Caratteristiche: Applicazioni: Classificazioni e caratteristiche massime:
Il FUJI 6RI75G-160 è un modulo a semiconduttore di potenza progettato per applicazioni industriali ad alta potenza. Ecco le specifiche e le caratteristiche principali di questo modulo: Caratteristiche del modulo: Caratteristiche di protezione integrate: Codice articolo del produttore: 6RI75G-160 Descrizione della confezione: R-XUFM-X5 Conteggio pin: 5 Produttore: Fuji Electric Co Ltd Connessione al case: Configurazione isolata : Ponte, materiale elemento diodo a 6 elementi: diodo al silicio […]
Il modulo IGBT SEMIKRON SKM400GAR12T4 è un modulo a semiconduttore di potenza ad alte prestazioni progettato per applicazioni esigenti ad alta potenza in aree quali azionamenti di motori, inverter e alimentatori. Ecco le caratteristiche principali, le applicazioni e le specifiche del modulo: Caratteristiche: Caratteristiche chiave: Applicazioni: Valori nominali e caratteristiche massime: La combinazione del modulo IGBT SEMIKRON SKM400GAR12T4 di capacità ad alta potenza, […]
Il modulo IGBT Infineon FZ600R65KF2 è un componente robusto e ad alta potenza progettato per varie applicazioni industriali, che offre una serie di caratteristiche e specifiche degne di nota: Caratteristiche: Applicazioni: Sensore di temperatura NTC integrato: Valori nominali e caratteristiche massime: L'elevata potenza del modulo IGBT Infineon FZ600R65KF2 la capacità di potenza, la tecnologia avanzata e il rilevamento della temperatura integrato lo rendono una scelta affidabile ed efficiente […]