Modulo IGBT Semikron SKKD 46/12: una guida completa Esplora le caratteristiche e le specifiche del modulo IGBT Semikron SKKD 46/12, un diodo ad alte prestazioni con una struttura a semiconduttore in una doppia serie. Prodotto da Semikron, questo modulo è progettato per varie applicazioni, garantendo affidabilità ed efficienza. Specifiche chiave: Informazioni aggiuntive: questo diodo Semikron, con il suo […]
Modulo IGBT Fuji 1MBI300N-120: Caratteristiche: Applicazioni: Valori nominali e caratteristiche massime:
FS450R12KE3 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) progettato per applicazioni ad alta potenza. Ecco le specifiche principali: Questo modulo IGBT è progettato per gestire tensioni elevate (fino a 1200 V) e correnti elevate (fino a 600 A). La configurazione Hex indica che comprende più IGBT in una disposizione esagonale. Il pacchetto EconoPACK+ […]
Informazioni sul prodotto: Caratteristiche: Linee guida per lo stoccaggio e il trasporto:
Il Fuji 6MBP300KA060-01 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) ad alta potenza progettato per applicazioni pesanti. Ecco le specifiche e le caratteristiche di questo modulo: Valori nominali e caratteristiche massime (Tc=25°C se non diversamente specificato): questo modulo è in grado di gestire livelli di corrente e tensione estremamente elevati, rendendolo adatto per applicazioni come azionamenti di motori industriali, [ …]
Il Semikron SKKD380/18 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) prodotto da Semikron. Ecco alcune informazioni su questo modulo:
Il FUJI 2MBI600VN-120-50 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) progettato per applicazioni ad alta potenza che richiedono commutazione ad alta velocità e azionamento di tensione. Ecco le specifiche e le caratteristiche di questo modulo IGBT: Caratteristiche: Applicazioni: Il modulo IGBT FUJI 2MBI600VN-120-50 può essere utilizzato in varie applicazioni, tra cui: Valori nominali e caratteristiche massime (a Tc=25°C se non diversamente specificato):
Modulo IGBT Fuji 2MBI200U4H-120. Questo modulo viene utilizzato in applicazioni di elettronica di potenza per la commutazione di correnti e tensioni elevate. Ecco le specifiche principali: Valutazioni massime assolute: Informazioni aggiuntive:
Il Fuji 2MBI600VE-120 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) con caratteristiche e capacità specifiche progettate per varie applicazioni elettroniche di potenza. Caratteristiche principali: Applicazioni: Valori nominali e caratteristiche massime (Tc=25°C se non specificato): Il modulo IGBT Fuji 2MBI600VE-120 è progettato per gestire applicazioni ad alta potenza come azionamenti di motori, amplificatori, alimentatori e macchine industriali. La sua alta velocità […]