Il Toshiba MG100J6ES50 è un N-channel in silicio ad alta potenza IGBT (Insulated Gate Bipolare Transistor) modulo progettato per applicazioni di commutazione e controllo motore ad alta potenza. Ecco le caratteristiche e le specifiche del modulo:
- IGBT Modulo: Toshiba MG100J6ES50
- Applicazione: applicazioni di commutazione ad alta potenza, applicazioni di controllo motore
- Design del modulo: ne contiene sei IGBTÈ integrato in un unico pacchetto e fornisce una soluzione compatta ed efficiente per applicazioni ad alta potenza.
- Elettrodo isolato: il modulo è progettato con un elettrodo isolato dalla custodia, migliorando la sicurezza e riducendo il rischio di scosse elettriche.
- Elevata impedenza di ingresso: il modulo presenta un'elevata impedenza di ingresso.
- Tipo di IGBT: vengono utilizzati IGBT in modalità potenziamento, che consentono prestazioni ed efficienza migliorate rispetto agli IGBT in modalità esaurimento.
- Funzionamento ad alta velocità: il modulo è progettato per il funzionamento ad alta velocità con un tempo di spegnimento massimo (tf) di 0.30 µs e un tempo di ripristino inverso massimo (trr) di 0.15 µs se utilizzato a una corrente di 100 A.
- Bassa saturazione voltaggio: Il modulo ha una bassa saturazione voltaggio (VCE (sat)) di 2.70 V quando operato con una corrente di 100 A.
- Classificazione IGBT: 100 A, 600 V
Queste specifiche indicano che il modulo Toshiba MG100J6ES50 è adatto per applicazioni che richiedono commutazione ad alta potenza e controllo del motore. Offre funzionamento ad alta velocità, bassa tensione di saturazione e prestazioni migliorate grazie all'uso di IGBT in modalità di miglioramento.