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Descrizione MG150Q2YS51
Applicazioni di commutazione ad alta potenza
Applicazioni di controllo del motore
. Alta impedenza di ingresso
. Alta velocità: tf = 0.3µs (Max) @ carico induttivo
.Bassa saturazione voltaggio : VCE (sat) = 3.6 V (max)
.Modalità di miglioramento
.Include un mezzo ponte completo in un unico pacchetto.
.Gli elettrodi sono isolati dalla custodia.
Tensione collettore-emettitore VCES 1200 V
Tensione gate-emitter VGES ± 20 V
Corrente di collettore DC IC (25 ° C / 80 ° C) 200 / 150A
Corrente di collettore 1ms ICP (25 ° C / 80 ° C) 400 / 300A
Corrente diretta DC IF 150A
Corrente diretta 1ms IFM 300A
Temperatura di giunzione Tj 150 ° C
Intervallo di temperatura di stoccaggio Tstg −40 ~ 125 ° C
Tensione di isolamento VIsol 2500 (AC 1 min.) V
Coppia delle viti (morsetto / montaggio) 3/3 N · m
MG150Q2YS51 Modulo Toshiba GTR IGBT canale N in silicone (1 PER)
Shunlongwei ha ispezionato ogni MG150Q2YS51 prima della spedizione, tutti i MG150Q2YS51 con 6 mesi di garanzia.