מבצעים Email: sales@shunlongwei.com
מיצובישי PM50CTJ060-3 הוא חדש IGBT מודול. IGBT ראשי תיבות של Insulated Gate Bipolar טרנזיסטור, שהוא כוח גבוה סמיקונדקטור מכשיר המשמש למיתוג ולהגברת אותות חשמליים. ה-PM50CTJ060-3 תוכנן ומיוצר במיוחד על ידי מיצובישי אלקטריק, חברה ידועה בתחום האלקטרוניקה הכוחנית.
להלן כמה מאפיינים ומפרטים מרכזיים של מיצובישי PM50CTJ060-3 IGBT מודול:
דגם: PM50CTJ060-3
מתח דירוג: למודול זה יש א מתח דירוג 600V, .
דירוג זרם: ה-PM50CTJ060-3 מסוגל להתמודד עם זרם מרבי של 50A.
IGBT טכנולוגיה: הוא משתמש בשער דו-קוטבי מבודד טרנזיסטור טכנולוגיה, המשלבת את היתרונות של שניהם MOSFET וטרנזיסטור צומת דו-קוטבי כדי לספק מהירות מיתוג גבוהה ואיבודי חשמל נמוכים במצב במצב.
תצורת מודול: ה-PM50CTJ060-3 הוא מודול המורכב משבבי IGBT מרובים, יחד עם רכיבים נוספים כגון דיודות ומעגלי הגנה, המשולבים בחבילה אחת. עיצוב מודולרי זה מפשט את תהליך ההתקנה והתחזוקה.
יישומים: מודולי IGBT כמו PM50CTJ060-3 נמצאים בשימוש נפוץ ביישומים תעשייתיים שונים כגון כונני מנועים, מערכות אנרגיה מתחדשת, UPS (אל פסק), ציוד ריתוך ועוד.