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미쓰비시 PM50CTJ060-3 새로운 IGBT 모듈. IGBT Insulated Gate Bipolar의 약자 트랜지스터, 이는 고출력 반도체 전기 신호를 전환하고 증폭하는 데 사용되는 장치. PM50CTJ060-3은 전력 전자 분야에서 잘 알려진 회사인 Mitsubishi Electric에서 특별히 설계 및 제조했습니다.
Mitsubishi PM50CTJ060-3의 주요 기능 및 사양은 다음과 같습니다. IGBT 기준 치수:
모델: PM50CTJ060-3
전압 평가: 이 모듈에는 전압 정격 600V, .
정격 전류: PM50CTJ060-3은 최대 50A의 전류를 처리할 수 있습니다.
IGBT Technology: 절연 게이트 바이폴라를 활용함 트랜지스터 두 가지 장점을 결합한 기술 이끼 및 바이폴라 접합 트랜지스터는 높은 스위칭 속도와 낮은 온 상태 전력 손실을 제공합니다.
모듈 구성: PM50CTJ060-3은 단일 패키지에 통합된 다이오드 및 보호 회로와 같은 다른 구성 요소와 함께 여러 IGBT 칩으로 구성된 모듈입니다. 이 모듈식 설계는 설치 및 유지 관리 프로세스를 단순화합니다.
애플리케이션: PM50CTJ060-3과 같은 IGBT 모듈은 일반적으로 모터 드라이브, 재생 에너지 시스템, UPS(무정전 전원 공급 장치), 용접 장비 등과 같은 다양한 산업 애플리케이션에 사용됩니다.