Bán hàng Email: sales@shunlongwei.com
Mitsubishi PM50CTJ060-3 mới IGBT mô-đun. IGBT là viết tắt của Cổng lưỡng cực cách điện Transistor, đó là một năng lượng cao Semiconductor thiết bị dùng để chuyển đổi và khuếch đại tín hiệu điện. PM50CTJ060-3 được thiết kế và sản xuất đặc biệt bởi Mitsubishi Electric, một công ty nổi tiếng trong lĩnh vực điện tử công suất.
Dưới đây là một số tính năng và thông số kỹ thuật chính của Mitsubishi PM50CTJ060-3 IGBT mô-đun:
Mô hình: PM50CTJ060-3
Vôn Đánh giá: Mô-đun này có một Vôn định mức 600V, .
Xếp hạng hiện tại: PM50CTJ060-3 có khả năng xử lý dòng điện tối đa 50A.
IGBT Công nghệ: Nó sử dụng cổng lưỡng cực cách điện Transistor công nghệ kết hợp ưu điểm của cả hai mosfet và bóng bán dẫn tiếp giáp lưỡng cực để cung cấp tốc độ chuyển mạch cao và tổn thất điện năng ở trạng thái thấp.
Cấu hình mô-đun: PM50CTJ060-3 là một mô-đun bao gồm nhiều chip IGBT, cùng với các thành phần khác như đi-ốt và mạch bảo vệ, được tích hợp trong một gói duy nhất. Thiết kế mô-đun này đơn giản hóa quá trình cài đặt và bảo trì.
Ứng dụng: Các mô-đun IGBT như PM50CTJ060-3 thường được sử dụng trong các ứng dụng công nghiệp khác nhau như ổ đĩa động cơ, hệ thống năng lượng tái tạo, UPS (Cung cấp điện liên tục), thiết bị hàn, v.v.