Nexperia נראה להגדיל את כושר הייצור עם השקעה של 700 מיליון דולר
Nexperia הודיעה על השלב האחרון באסטרטגיית הצמיחה העולמית שלה, המאשרת השקעה של 700 מיליון דולר במהלך 12-15 החודשים הקרובים במפעלי הוופלים האירופיים שלה, במפעלי הרכבה באסיה ובאתרי מו"פ גלובליים.
ההשקעה החדשה תגדיל את כושר הייצור בכל האתרים תוך תמיכה במחקר ופיתוח בתחומים כגון מוליכים למחצה עם פס רחב רחב של גאליום ניטריד (GaN) ומכשירי ניהול חשמל. זה גם יתבסס על פעילויות הגיוס, כאשר Nexperia רוצה למשוך מעצבי שבבים ומהנדסים חדשים.
"זו תקופה מרגשת בעולם סמיקונדקטור שוק, שהתחדש מאז האתגרים במחצית הראשונה של השנה שעברה, "אמר אחים קמפה, מנהל התפעול הראשי של נקספריה. "Nexperia דיווחה על מכירות חזקות של מוצרים בסך 1.4 מיליארד דולר in 2020, with demand accelerating rapidly in Q3 and Q4. That momentum has been maintained so far this year, and we expect it to continue over the long term. The $700 million investment will ensure that we continue to provide the טֶכנוֹלוֹגִיָה ויכולת ייצור הדרושה כדי לספק מוצרים בהיקפים התומכים בביקוש הגובר".
כתוצאה מכך, היכולת של מפעל המבורג בגרמניה - המייצרת כיום יותר מ -35,000 ופלים (שווה ערך לאינץ ') לחודש (8 מיליארד מוליכים למחצה בשנה) - תגדל עוד יותר ב -70% מאמצע שנת 20. בעוד שבבריטניה, במתקן הייצור הייעודי TrenchMOS של Nexperia במנצ'סטר, הקיבולת תגדל ב -2022% עד אמצע שנת 10 לעומת 2022 הוופלים הנוכחיים (שווה ערך לאינץ ') לחודש.
כמו כן, תהיה הרחבה משמעותית של פעילויות המחקר והפיתוח, עם מעבדות חדשות ומתקנים אחרים בכל האתרים. זה כולל את המטה של Nexperia בנימיגן, שם נמצאת קבוצת העסקים Analog & Logic.
פעילות הגיוס תוגבר גם היא, מכיוון שנקספריה נראה למלא למעלה מ- 200 משרות פנויות גלובליות בעיקר בתחומי תפקידים טכניים שונים.
"עוד לפני שהמגפה החלה, הייתה לנקספריה אסטרטגיית צמיחה עולמית חזקה", אמר טוני ורסלויס, המנהל הכללי של Nexperia's. מוספים ועסקים של GaN FETs. "המאמצים האלה משתלמים כעת. דוגמה לכך היא השחרור הקרוב של מכשירי ה-MOSFET הראשונים שלנו מפס הייצור החדש של 8 אינץ' במנצ'סטר. ככל שההתאוששות נמשכת, אנו מחויבים להשקעה מתמשכת במוצרים, בתהליכים ובאנשים במפעלים ובמתקני המו"פ שלנו. פעילות מתמשכת זו משקפת את האמונה שלנו בסיכויים ארוכי הטווח של הכוח סמיקונדקטור מִגזָר."