Nexperia, 700 억 달러 투자로 생산 능력 향상

넥스페리아는 유럽 웨이퍼 팹, 아시아 조립 공장 및 글로벌 R&D 사이트에서 향후 700-12개월 동안 15억 달러의 투자를 확인하는 글로벌 성장 전략의 최신 단계를 발표했습니다.

새로운 투자는 질화 갈륨 기반(GaN) 와이드 밴드갭 반도체 및 전력 관리 IC와 같은 분야에 대한 연구 개발을 지원하는 동시에 모든 현장에서 제조 능력을 향상시킬 것입니다. 또한 새로운 칩 설계자와 엔지니어를 유치하려는 Nexperia와 함께 채용 활동을 뒷받침할 것입니다.

“지금은 세계적으로 흥미로운 시기입니다. 반도체 Nexperia의 최고운영책임자(COO)인 Achim Kempe는 "지난해 상반기의 도전 이후 다시 부활한 시장"이라고 말했습니다. “Nexperia는 1.4억 달러의 견실한 제품 판매를 보고했습니다. 2020년에는 3분기와 4분기에 수요가 급격히 가속화될 것입니다. 이러한 모멘텀은 올해 현재까지 유지되어 왔으며, 장기적으로 지속될 것으로 예상됩니다. 700억 달러의 투자로 우리는 계속해서 다음과 같은 서비스를 제공할 수 있을 것입니다. technology 증가하는 수요를 지원하는 대량의 제품을 제공하는 데 필요한 제조 능력이 필요합니다.”

그 결과 현재 월 35,000개 이상의 웨이퍼(8인치에 해당)(연간 70억개 반도체)를 생산하는 독일 함부르크 팹의 생산 능력은 20년 중반부터 2022% 더 증가할 것입니다. 영국에 있는 동안 맨체스터에 있는 Nexperia의 전용 TrenchMOS 제조 시설에서 용량은 현재 월 10개 웨이퍼(2022인치에 해당)에서 24,000년 중반까지 8% 증가할 것입니다.

또한 모든 현장에 걸쳐 새로운 실험실 및 기타 시설과 함께 연구 개발 활동이 크게 확장될 것입니다. 여기에는 Analog & Logic 비즈니스 그룹이 위치한 Nijmegen에 있는 Nexperia의 본사가 포함됩니다.

넥스페리아는 주로 다양한 기술 역할에 걸쳐 200개 이상의 글로벌 공석을 채울 것으로 보고 있으므로 채용 활동도 강화될 것입니다.

넥스페리아의 총책임자인 토니 베르슬루이스(Toni Versluijs)는 “팬데믹이 시작되기 전부터 넥스페리아는 강력한 글로벌 성장 전략을 가지고 있었다”고 말했다. MOSFET GaN FET 사업. “이러한 노력은 이제 결실을 맺고 있습니다. 맨체스터의 새로운 8인치 생산 라인에서 첫 번째 전력 MOSFET 출시가 임박한 것이 그 예입니다. 회복이 계속됨에 따라 우리는 공장과 R&D 시설 전반에 걸쳐 제품, 프로세스, 인력에 대한 지속적인 투자에 최선을 다하고 있습니다. 이러한 지속적인 활동은 권력에 대한 장기적인 전망에 대한 우리의 믿음을 반영합니다. 반도체 부문."