בתחום המהיר של יישומים תעשייתיים בעלי הספק גבוה, מודול הכוח IXYS MCC162-18io1 מתגלה כתחנת כוח טכנולוגית. מודול זה, שעוצב במיוחד לביצועים חזקים, מורכב משני מודולי IGBT המסודרים בתצורת חצי גשר, כל אחד מתגאה בדירוג מרשים של 900V ו-162A. אינטליגנציה והגנה משולבים: בבסיסו, מודול MCC162-18io1 מקפל בתוכו […]
מודול IGBT DD260N18KHPSA1 של Infineon מתגאה במגוון תכונות חדשניות שנועדו להבטיח אמינות גבוהה וביצועים אופטימליים. תוך מינוף טכנולוגיית מגע הלחץ, מודול זה מצטיין בחוסן. היישום של Advanced Medium Power Technology (AMPT) משפר עוד יותר את יכולותיה, מה שהופך אותה לבחירה אמינה ביישומים תעשייתיים שונים. המודול עומד בסטנדרטים תעשייתיים ו- […]
VBO125-12N07 מאפיינים: יישומים: יתרונות: דירוגים ומאפיינים מרביים (Tc=25°C אלא אם צוין אחרת):
ה-IXYS VUO50-08NO3 הוא מודול IGBT (טרנזיסטור מבודד שער דו קוטבי) עם תכונות ויישומים ספציפיים. להלן כמה פרטים מרכזיים על מודול זה: תכונות: יישומים: יתרונות: דירוגים מקסימליים מוחלטים (Tc=25°C אלא אם צוין אחרת):
Semikron SKKD380/18 הוא מודול IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) המיוצר על ידי Semikron. הנה קצת מידע על מודול זה:
Techsem MTC400A/1800V הוא מודול IGBT (טרנזיסטור מבודד שער דו קוטבי) המיועד ליישומים שונים בהספק גבוה. להלן המאפיינים והמפרטים העיקריים של מודול זה: מאפיינים: יישומים טיפוסיים: דירוגים ומאפיינים מרביים: הדירוגים המרביים עבור מודול זה מצוינים כדלקמן: מודול IGBT זה מיועד ליישומים הדורשים מתח גבוה וזרם גבוה [... ]
SEMIKRON SKKH106/16E הוא מודול IGBT (טרנזיסטור מבודד שער דו קוטבי) הידוע ביכולות הטיפול בהספק גבוה שלו. להלן התכונות, היתרונות והדירוגים המקסימליים עבור מודול זה: מאפיינים: יישומים אופייניים: ניתן להשתמש ב-SKKH106/16E SEMIPACK ביישומים בעלי הספק גבוה, כולל אך לא רק: דירוגים ומאפיינים מקסימליים: הדירוגים המרביים המוחלטים עבור […]
יישומים: מאפיינים: דירוגים ומאפיינים מקסימליים:
ה-Semikron SKB52/08 הוא מודול IGBT (טרנזיסטור דו-קוטבי של שער מבודד). להלן הפרטים על מודול זה: