בתחום המהיר של יישומים תעשייתיים בעלי הספק גבוה, מודול הכוח IXYS MCC162-18io1 מתגלה כתחנת כוח טכנולוגית. מודול זה, שעוצב במיוחד לביצועים חזקים, מורכב משני מודולי IGBT המסודרים בתצורת חצי גשר, כל אחד מתגאה בדירוג מרשים של 900V ו-162A. אינטליגנציה והגנה משולבים: בבסיסו, מודול MCC162-18io1 מקפל בתוכו […]
מודול IGBT Fuji 1MBI300N-120: מאפיינים: יישומים: דירוגים ומאפיינים מקסימליים:
8 בינואר 2024 - על פי דיווחים, Nvidia ו-AMD ימשיכו להרחיב את שוק הבינה המלאכותית (AI) בשנת 2024, וצפוי ששתי החברות יבצעו הזמנות של כ-1.5 מיליון שבבי AI מתקדמים מ-TSMC. הדו"ח ציין כי Nvidia תשחרר מוצרים חדשים כמו B100 ו- […]
מידע על המוצר: תכונות: הנחיות אחסון ותחבורה:
ה-Fuji 6MBP150NA060 הוא מודול IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) עם דירוגים ומאפיינים מרביים ספציפיים. להלן מפרטי המפתח: דירוגים מקסימליים מוחלטים (Tc=25°C אלא אם צוין אחרת):
ה-Fuji 6MBP300KA060-01 הוא מודול IGBT (Transistor Bipolar Gate Insulated Gate) בעל הספק גבוה המיועד ליישומים כבדים. להלן המפרטים והמאפיינים של מודול זה: דירוגים ומאפיינים מקסימליים (Tc=25°C אלא אם צוין אחרת): מודול זה מסוגל להתמודד עם רמות זרם ומתח גבוהות במיוחד, מה שהופך אותו למתאים ליישומים כגון כונני מנועים תעשייתיים, [ …]
ה-Fuji 2MBI300VB-060-50 הוא מודול IGBT חזק (Insulated Gate Bipolar Transistor) שתוכנן במיוחד עבור יישומי מיתוג בהספק גבוה. להלן המפרט המפורט של מודול זה: תכונות:
ה-Fuji 6MBP150RA060-02 הוא מודול IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) עם תכונות ספציפיות ודירוג מרבי. להלן פירוט של מפרטי המפתח שלו: מאפיינים: דירוגים מקסימליים (Tc=25°C אלא אם צוין אחרת): מודול IGBT זה מתאים ליישומים בעלי הספק גבוה שבהם מיתוג יעיל וניהול טמפרטורה חיוניים.
מודול Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT (טרנזיסטור דו-קוטבי של שער מבודד). להלן פירוט של מפרטי המפתח: מפרטים אלו חיוניים לתכנון ושימוש במודול IGBT ביישומים שונים, כדי להבטיח שהוא פועל במסגרת הגבולות הבטוחים והמפורטים שלו.