מודול IGBT Semikron SKKD 46/12 – מדריך מקיף חקור את המאפיינים והמפרטים של מודול ה-Semikron SKKD 46/12 IGBT, דיודה בעלת ביצועים גבוהים עם מבנה מוליכים למחצה בסדרה כפולה. מודול זה, המיוצר על ידי Semikron, מיועד ליישומים שונים, מבטיח אמינות ויעילות. מפרטים עיקריים: מידע נוסף: דיודה זו של Semikron, עם […]
מודול IGBT Fuji 1MBI300N-120: מאפיינים: יישומים: דירוגים ומאפיינים מקסימליים:
ה-FS450R12KE3 הוא מודול IGBT (טרנזיסטור מבודד שער דו קוטבי) המיועד ליישומים בעלי הספק גבוה. להלן מפרטי המפתח: מודול IGBT זה נועד להתמודד עם מתחים גבוהים (עד 1200 V) וזרמים גבוהים (עד 600 A). תצורת ה-Hex מציינת שהיא כוללת מספר IGBTs בסידור משושה. חבילת EconoPACK+ […]
מידע על המוצר: תכונות: הנחיות אחסון ותחבורה:
ה-Fuji 6MBP300KA060-01 הוא מודול IGBT (Transistor Bipolar Gate Insulated Gate) בעל הספק גבוה המיועד ליישומים כבדים. להלן המפרטים והמאפיינים של מודול זה: דירוגים ומאפיינים מקסימליים (Tc=25°C אלא אם צוין אחרת): מודול זה מסוגל להתמודד עם רמות זרם ומתח גבוהות במיוחד, מה שהופך אותו למתאים ליישומים כגון כונני מנועים תעשייתיים, [ …]
Semikron SKKD380/18 הוא מודול IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) המיוצר על ידי Semikron. הנה קצת מידע על מודול זה:
ה-FUJI 2MBI600VN-120-50 הוא מודול IGBT (טרנזיסטור מבודד שער דו קוטבי) המיועד ליישומים בעלי הספק גבוה הדורשים מיתוג והנעת מתח במהירות גבוהה. להלן המפרטים והתכונות של מודול IGBT זה: מאפיינים: יישומים: ניתן להשתמש במודול FUJI 2MBI600VN-120-50 IGBT ביישומים שונים, כולל: דירוגים ומאפיינים מקסימליים (ב-Tc=25°C, אלא אם צוין אחרת):
מודול IGBT Fuji 2MBI200U4H-120. מודול זה משמש ביישומי חשמל עבור מיתוג זרמים ומתחים גבוהים. להלן המפרטים העיקריים: דירוגים מקסימליים מוחלטים: מידע נוסף:
ה-Fuji 2MBI600VE-120 הוא מודול IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) עם תכונות ויכולות ספציפיות המיועד ליישומי חשמל שונים. מאפיינים עיקריים: יישומים: דירוגים ומאפיינים מרביים (Tc=25°C אלא אם צוין): מודול Fuji 2MBI600VE-120 IGBT נועד להתמודד עם יישומים בעלי הספק גבוה כגון כונני מנועים, מגברים, ספקי כוח ומכונות תעשייתיות. המהירות הגבוהה שלו […]