#N25Q128A11EF840E MICRON N25Q128A11EF840E 新しいフラッシュ、128MX1、PDSO8、8 X 6 MM、ROHS 準拠、プラスチック、MLP-8、N25Q128A11EF840E 写真、N25Q128A11EF840E 価格、#N25Q128A11EF840E サプライヤー
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Eメール：sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/n25q128a11ef840e.html
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メーカー部品番号: N25Q128A11EF840E
Pbfreeコード：はい
パーツライフサイクルコード：廃止
メーカー：マイクロン テクノロジー INC
パッケージの説明：HVSON、SOLCC8、.3、XNUMX
メーカー：Micron Technology Inc
リスクランク：8.42
クロック周波数-最大（fCLK）：108 MHz
データ保持時間-分：20
耐久性：100000書き込み/消去サイクル
JESD-30コード：R-PDSO-N8
長さ：8 mm
メモリ密度：134217728ビット
メモリ IC タイプ：フラッシュ
メモリ幅：1
関数の数：1
ターミナル数：8
ワード数：134217728ワード
単語数コード：128000000
動作モード：同期
動作温度-最大：85°C
動作温度-最小：-40°C
組織：128MX1
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージコード：HVSON
パッケージ同等コード：SOLCC8、.3
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さなアウトライン、ヒートシンク/スラッグ、非常に薄いプロファイル
パラレル/シリアル：SERIAL
ピークリフロー温度（Cel）：260
電源：1.8 V
プログラミング 電圧：1.8 V
資格ステータス：資格なし
着座高さ-最大：1 mm
シリアルバスタイプ：SPI
スタンバイ電流-最大：0.00001 A
サブカテゴリ：フラッシュメモリ
供給電流-最大：0.02 mA
供給 電圧-最大（Vsup）：2 V
供給 電圧-最小（Vsup）：1.7 V
供給電圧-公称値（Vsup）：1.8 V
表面実装：はい
テクノロジー：CMOS
温度グレード：工業用
ターミナルフォーム：リードなし
ターミナルピッチ：1.27 mm
ターミナルポジション：DUAL
Time
フラッシュ、128MX1、PDSO8、8 X 6 MM、ROHS準拠、プラスチック、MLP-8
Pbfreeコード：はい
パーツライフサイクルコード：廃止
メーカー：マイクロン テクノロジー INC
パッケージの説明：HVSON、SOLCC8、.3、XNUMX
メーカー：Micron Technology Inc
リスクランク：8.42
クロック周波数-最大（fCLK）：108 MHz
データ保持時間-分：20
耐久性：100000書き込み/消去サイクル
JESD-30コード：R-PDSO-N8
長さ：8 mm
メモリ密度：134217728ビット
メモリ IC タイプ：フラッシュ
メモリ幅：1
関数の数：1
ターミナル数：8
ワード数：134217728ワード
単語数コード：128000000
動作モード：同期
動作温度-最大：85°C
動作温度-最小：-40°C
組織：128MX1
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージコード：HVSON
パッケージ同等コード：SOLCC8、.3
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さなアウトライン、ヒートシンク/スラッグ、非常に薄いプロファイル
パラレル/シリアル：SERIAL
ピークリフロー温度（Cel）：260
電源：1.8 V
プログラミング 電圧：1.8 V
資格ステータス：資格なし
着座高さ-最大：1 mm
シリアルバスタイプ：SPI
スタンバイ電流-最大：0.00001 A
サブカテゴリ：フラッシュメモリ
供給電流-最大：0.02 mA
供給 電圧-最大（Vsup）：2 V
供給 電圧-最小（Vsup）：1.7 V
供給電圧-公称値（Vsup）：1.8 V
表面実装：はい
テクノロジー：CMOS
温度グレード：工業用
ターミナルフォーム：リードなし
ターミナルピッチ：1.27 mm
ターミナルポジション：DUAL
Time
フラッシュ、128MX1、PDSO8、8 X 6 MM、ROHS準拠、プラスチック、MLP-8