#N25Q128A11EF840E MICRON N25Q128A11EF840E Flash mới, 128MX1, PDSO8, 8 X 6 MM, ROHS TUÂN THỦ, NHỰA, MLP-8, N25Q128A11EF840E hình ảnh, giá N25Q128A11EF840E, #N25Q128A11EF840E nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/n25q128a11ef840e.html
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: N25Q128A11EF840E
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất IHS: MICRON CÔNG NGHỆ INC
Mô tả gói: HVSON, SOLCC8, .3
Nhà sản xuất: Micron Technology Inc
Xếp hạng rủi ro: 8.42
Tần số xung nhịp tối đa (fCLK): 108 MHz
Thời gian lưu giữ dữ liệu-Min: 20
Độ bền: 100000 chu kỳ ghi / xóa
Mã JESD-30: R-PDSO-N8
Chiều dài: 8 mm
Mật độ bộ nhớ: 134217728 bit
Bộ nhớ IC Loại: FLASH
Chiều rộng bộ nhớ: 1
Số chức năng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 8
Số từ: 134217728 từ
Mã số từ: 128000000
Chế độ hoạt động: ĐỒNG BỘ
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 85 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -40 ° C
Tổ chức: 128MX1
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: HVSON
Mã tương đương gói: SOLCC8, .3
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách đóng gói: NGOÀI TRỜI NHỎ, HỒNG NHIỆT / SLUG, HỒ SƠ RẤT MỎNG
Song song / Nối tiếp: SERIAL
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Nguồn cung cấp: 1.8 V
Lập trình Vôn: 1.8 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chiều cao yên xe-Tối đa: 1 mm
Loại xe buýt nối tiếp: SPI
Dòng chờ-Tối đa: 0.00001 A
Danh mục con: Ký ức Flash
Cung cấp hiện tại-Tối đa: 0.02 mA
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 2 V
Cung cấp Vôn-Min (Vsup): 1.7 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 1.8 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: CÔNG NGHIỆP
Dạng đầu cuối: KHÔNG CÓ CHÌ
Cao độ đầu cuối: 1.27 mm
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Flash, 128MX1, PDSO8, 8 X 6 MM, TUÂN THỦ ROHS, NHỰA, MLP-8
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất IHS: MICRON CÔNG NGHỆ INC
Mô tả gói: HVSON, SOLCC8, .3
Nhà sản xuất: Micron Technology Inc
Xếp hạng rủi ro: 8.42
Tần số xung nhịp tối đa (fCLK): 108 MHz
Thời gian lưu giữ dữ liệu-Min: 20
Độ bền: 100000 chu kỳ ghi / xóa
Mã JESD-30: R-PDSO-N8
Chiều dài: 8 mm
Mật độ bộ nhớ: 134217728 bit
Bộ nhớ IC Loại: FLASH
Chiều rộng bộ nhớ: 1
Số chức năng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 8
Số từ: 134217728 từ
Mã số từ: 128000000
Chế độ hoạt động: ĐỒNG BỘ
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 85 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -40 ° C
Tổ chức: 128MX1
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: HVSON
Mã tương đương gói: SOLCC8, .3
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách đóng gói: NGOÀI TRỜI NHỎ, HỒNG NHIỆT / SLUG, HỒ SƠ RẤT MỎNG
Song song / Nối tiếp: SERIAL
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Nguồn cung cấp: 1.8 V
Lập trình Vôn: 1.8 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chiều cao yên xe-Tối đa: 1 mm
Loại xe buýt nối tiếp: SPI
Dòng chờ-Tối đa: 0.00001 A
Danh mục con: Ký ức Flash
Cung cấp hiện tại-Tối đa: 0.02 mA
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 2 V
Cung cấp Vôn-Min (Vsup): 1.7 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 1.8 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: CÔNG NGHIỆP
Dạng đầu cuối: KHÔNG CÓ CHÌ
Cao độ đầu cuối: 1.27 mm
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Flash, 128MX1, PDSO8, 8 X 6 MM, TUÂN THỦ ROHS, NHỰA, MLP-8