#N25Q128A11EF840E MICRON N25Q128A11EF840E 새로운 플래시, 128MX1, PDSO8, 8 X 6 MM, ROHS 준수, 플라스틱, MLP-8, N25Q128A11EF840E 사진, N25Q128A11EF840E 가격, #N25EF128
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이메일 : sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/n25q128a11ef840e.html
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제조업체 부품 번호: N25Q128A11EF840E
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
IHS 제조사 : MICRON 기술 INC
패키지 설명 : HVSON, SOLCC8, .3
제조업체 : Micron Technology Inc
위험 순위 : 8.42
최대 클록 주파수(fCLK): 108MHz
데이터 보유 시간-분 : 20
내구성 : 100000 쓰기 / 지우기주기
JESD-30 코드 : R-PDSO-N8
길이: 8mm
메모리 밀도 : 134217728 비트
메모리 IC 유형 : 플래시
메모리 폭 : 1
함수의 수 : 1
터미널 수 : 8
단어 수 : 134217728 단어
단어 수 코드 : 128000000
작동 모드 : 동시
작동 온도-최대 : 85 ° C
작동 온도-최소 : -40 ° C
조직 : 128MX1
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 코드 : HVSON
패키지 등가 코드 : SOLCC8, .3
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요, 열 싱크 / 슬러그, 매우 얇은 프로필
병렬 / 직렬 : SERIAL
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
전원 공급 장치 : 1.8V
프로그램 작성 전압: 1.8 브이
자격 상태 : 자격 없음
최대 장착 높이 : 1mm
직렬 버스 유형: SPI
대기 전류-최대 : 0.00001 A
하위 범주 : 플래시 메모리
공급 전류-최대 : 0.02mA
혁신기술 전압-최대 (Vsup) : 2V
혁신기술 전압-최소 (Vsup) : 1.7V
공급 전압 -Nom (Vsup) : 1.8V
표면 실장 : 예
기술 : CMOS
온도 등급 : 산업
터미널 형태 : NO LEAD
터미널 피치 : 1.27mm
터미널 위치 : DUAL
Time
플래시, 128MX1, PDSO8, 8 X 6 MM, ROHS 준수, 플라스틱, MLP-8
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
IHS 제조사 : MICRON 기술 INC
패키지 설명 : HVSON, SOLCC8, .3
제조업체 : Micron Technology Inc
위험 순위 : 8.42
최대 클록 주파수(fCLK): 108MHz
데이터 보유 시간-분 : 20
내구성 : 100000 쓰기 / 지우기주기
JESD-30 코드 : R-PDSO-N8
길이: 8mm
메모리 밀도 : 134217728 비트
메모리 IC 유형 : 플래시
메모리 폭 : 1
함수의 수 : 1
터미널 수 : 8
단어 수 : 134217728 단어
단어 수 코드 : 128000000
작동 모드 : 동시
작동 온도-최대 : 85 ° C
작동 온도-최소 : -40 ° C
조직 : 128MX1
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 코드 : HVSON
패키지 등가 코드 : SOLCC8, .3
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요, 열 싱크 / 슬러그, 매우 얇은 프로필
병렬 / 직렬 : SERIAL
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
전원 공급 장치 : 1.8V
프로그램 작성 전압: 1.8 브이
자격 상태 : 자격 없음
최대 장착 높이 : 1mm
직렬 버스 유형: SPI
대기 전류-최대 : 0.00001 A
하위 범주 : 플래시 메모리
공급 전류-최대 : 0.02mA
혁신기술 전압-최대 (Vsup) : 2V
혁신기술 전압-최소 (Vsup) : 1.7V
공급 전압 -Nom (Vsup) : 1.8V
표면 실장 : 예
기술 : CMOS
온도 등급 : 산업
터미널 형태 : NO LEAD
터미널 피치 : 1.27mm
터미널 위치 : DUAL
Time
플래시, 128MX1, PDSO8, 8 X 6 MM, ROHS 준수, 플라스틱, MLP-8