STのMCUプレジデント、Remi El-Ouazzane氏は次のように述べています。「STは、自動車および航空宇宙アプリケーション向けにFD-SOIおよびPCMテクノロジーを先駆者として提供し、お客様に提供してきました。当社は現在、これらのテクノロジーの利点を産業用アプリケーションの開発者に提供するために次のステップを踏み出しています。」アプリケーション。」
同じ日に、ST は超低消費電力 Cortex-M0+ セキュア MCU を発表しました
eNVM を使用した 40nm プロセスと比較して、FD-SOI/ePCM プロセスは優れた性能を発揮します、と ST 氏は言います。
- 50% 以上優れたパフォーマンス対電力比
- 2.5 倍の不揮発性メモリ (NVM) 密度により、より大容量のオンチップ メモリが可能
- AI やグラフィックス アクセラレータ、最先端のセキュリティおよび安全機能などのデジタル周辺機器を統合するための 3 倍のデジタル密度
- 雑音指数が 3dB 向上し、ワイヤレス MCU の RF 性能が向上
テクノロジー 3V 動作が可能で、電源管理、リセット システム、クロック ソース、デジタル/アナログ コンバータなどのアナログ機能を提供します。この機能をサポートする唯一のサブ 20 nm テクノロジーです。
この技術は、自動車用途ですでに実証されている堅牢な高温動作、放射線耐性、およびデータ保持機能により、要求の厳しい産業用途に必要な信頼性も提供します。
FD-SOI および PCM に関する追加情報は、ST.com で入手できます。
このテクノロジーに基づく MCU は、開発者に高性能、低消費電力、ワイヤレス MCU を提供します。このメモリ サイズは、エッジ AI 処理、マルチプロトコル RF スタック、無線アップデート、および高度なセキュリティ機能の増大するニーズをサポートします。
パフォーマンスとメモリ サイズの機能により、現在マイクロプロセッサを使用している開発者は、より高度に統合され、コスト効率の高い MCU を設計に使用するオプションが得られます。また、ST のポートフォリオが現在業界をリードしている超低消費電力デバイスの電力効率をさらに向上させることができます。
このテクノロジーに基づく最初の MCU には、最先端の ARM Cortex-M コアが統合され、機械学習およびデジタル信号処理アプリケーションのパフォーマンスが強化されます。
STによれば、高速かつ柔軟な外部メモリインターフェイス、高度なグラフィック機能を提供し、多数のアナログおよびデジタル周辺機器を統合する予定だという。また、ST の最新 MCU にすでに導入されている高度な認定セキュリティ機能も備えています。