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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM50GAL120DN2
제조업체 : Infineon
제품 카테고리 : IGBT 모듈
RoHS : 예
브랜드 : Infineon Technologies
제품 : IGBT 실리콘 모듈
구성: 하프 브리지
수집기-이미 터 전압 VCEO Max : 1200V
콜렉터-이미 터 포화 전압 : 2.5V
25C에서 연속 콜렉터 전류 : 78A
게이트 이미 터 누설 전류 : 400nA
Pd – 전력 손실 : 400W
패키지/케이스: 하프 브리지 GAL 1
최대 작동 온도 : + 150 C
포장 : 트레이
최대 게이트 이미 터 전압 : 20V
최소 작동 온도 : – 40 C
장착 스타일 : 나사
팩토리 팩 수량 : 10
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