#BSM50GAL120DN2 Infineon BSM50GAL120DN2 Nieuw 50A/1200V/IGBT+DIODE/2U; IGBT Modules 1200V 50A CHOPPER, BSM50GAL120DN2 foto's, BSM50GAL120DN2 prijs, #BSM50GAL120DN2 leverancier
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM50GAL120DN2
Fabrikant: Infineon
Productcategorie: IGBT-modules
RoHS: JA
Merk: Infineon Technologies
Product: IGBT-siliciummodules
Configuratie: Halve brug
Collector-zender spanning VCEO-max.: 1200 V
Verzadigingsspanning collector-emitter: 2.5 V.
Continue collectorstroom bij 25 C: 78 A.
Gate-Emitter Lekstroom: 400 nA
Pd - Vermogensverlies: 400 W.
Pakket/doos: Halve brug GAL 1
Maximale bedrijfstemperatuur: + 150 C
Verpakking: lade
Maximale gate-emitterspanning: 20 V.
Minimale bedrijfstemperatuur: - 40 ° C
Montagestijl: schroef
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 10
50A / 1200V / IGBT + DIODE / 2U; IGBT-modules 1200V 50A CHOPPER