#BSM50GAL120DN2 Infineon BSM50GAL120DN2 Mới 50A/1200V/IGBT+ DIODE / 2U; Mô-đun IGBT 1200V 50A CHOPPER, hình ảnh BSM50GAL120DN2, giá BSM50GAL120DN2, nhà cung cấp # BSM50GAL120DN2
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM50GAL120DN2
Nhà sản xuất: Infineon
Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT
RoHS: CÓ
Thương hiệu: Infineon Technologies
Sản phẩm: Mô-đun Silicon IGBT
Cấu hình: Half Bridge
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1200 V
Điện áp bão hòa bộ thu-phát: 2.5 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: 78 A
Gate-Emitter Rò rỉ hiện tại: 400 nA
Pd - Công suất tiêu tán: 400 W
Đóng gói/Hộp: Nửa Cầu GAL 1
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 C
Bao bì: Khay
Điện áp bộ phát cổng tối đa: 20 V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C
Kiểu lắp: Vít
Số lượng gói nhà máy: 10
50A / 1200V / IGBT + DIODE / 2U; Mô-đun IGBT 1200V 50A CHOPPER