데이터시트:APTGT300DU60G전력 제품 카탈로그제품 사진:APTGT300DU60G표준 패키지:1범주:개별형 반도체 제품군:IGBTs – 모듈시리즈:-IGBT 유형:트렌치 및 필드 정지구성:이중, 공통 소스전압 – 컬렉터 이미터 항복(최대):600VVce(on)(최대) @ Vge, IC:1.8V @ 15V, 300A전류 - 컬렉터(IC)(최대):430AC전류 – 컬렉터 차단(최대):350μA입력 커패시턴스(Cies) @ Vce:24nF @ 25V전력 – 최대:1150W입력:표준NTC 서미스터:No장착 유형:섀시 마운트패키지/케이스:SP6공급업체 장치 패키지:SP6Dynamic 카탈로그:APT 듀얼 공통 원천 모듈 시리즈다른 이름:APGT300DU60GMP-ND #APTGT300DU60G Microsemi Power Products Group APTGT300DU60G 새로운 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터, 430A I(C), 600V V(BR)CES, N 채널, ROHS 준수, SP6, 7 핀, APTGT300DU60G 사진, APTGT300DU60G 가격, #APTGT300DU60G 공급업체
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이메일 : [이메일 보호]
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제조업체 부품 번호: APTGT300DU60G
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : MICROSEMI CORP
패키지 설명 : FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Pin Count : 7
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : Microsemi Corporation
위험 순위 : 5.16
추가 기능 : AVALANCHE RATED
케이스 연결 : 절연
콜렉터 전류 최대 (IC) : 430 A
수집기 방출기 전압-최대 : 600V
구성: 공통 이미터, 내장 다이오드가 있는 2개의 요소
JESD-30 코드 : R-XUFM-X7
JESD-609 코드 : e1
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 2
터미널 수 : 7
작동 온도-최대 : 175 ° C
패키지 본체 재질 : 지정되지 않음
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : FLANGE MOUNT
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
자격 상태 : 자격 없음
표면 실장 : NO
터미널 마감 : TIN SILVER COPPER
터미널 형태 : UNSPECIFIED
터미널 위치 : UPPER
Time
절연 게이트 양극성 트랜지스터, 430A I(C), 600V V(BR)CES, N-채널, ROHS 준수, SP6, 7핀
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : MICROSEMI CORP
패키지 설명 : FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Pin Count : 7
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : Microsemi Corporation
위험 순위 : 5.16
추가 기능 : AVALANCHE RATED
케이스 연결 : 절연
콜렉터 전류 최대 (IC) : 430 A
수집기 방출기 전압-최대 : 600V
구성: 공통 이미터, 내장 다이오드가 있는 2개의 요소
JESD-30 코드 : R-XUFM-X7
JESD-609 코드 : e1
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 2
터미널 수 : 7
작동 온도-최대 : 175 ° C
패키지 본체 재질 : 지정되지 않음
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : FLANGE MOUNT
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
자격 상태 : 자격 없음
표면 실장 : NO
터미널 마감 : TIN SILVER COPPER
터미널 형태 : UNSPECIFIED
터미널 위치 : UPPER
Time
절연 게이트 양극성 트랜지스터, 430A I(C), 600V V(BR)CES, N-채널, ROHS 준수, SP6, 7핀