Schede tecniche:APTGT300DU60GCatalogo prodotti energeticiFoto di prodotti:APTGT300DU60GPacchetto standard:1Categoria:Discreto Semiconduttore Famiglia di prodotti:IGBTs – Serie di moduli: -Tipo IGBT: Arresto in trincea e campo Configurazione: Doppia sorgente comune Tensione – Guasto collettore emettitore (max): 600 VVce(on) (max) @ Vge, IC:1.8V @ 15V, 300ACorrente – Collettore (IC) (Max):430ACorrente – Cutoff collettore (Max):350μACapacità di ingresso (Cies) a Vce:24nF a 25VPotenza – Max:1150WIngresso:Termistore NTC standard:NoTipo di montaggio:Montaggio su telaioPacchetto/custodia:SP6Pacchetto dispositivo fornitore:SP6Catalogo dinamico:APT Dual Common Fonte Moduli SerieAltri nomi:APTGT300DU60GMP-ND #APTGT300DU60G Microsemi Power Products Group APTGT300DU60G Nuovo Gate Bipolare coibentato Transistor, 430A I(C), 600V V(BR)CES, canale N, CONFORME ROHS, SP6, 7 PIN, immagini APTGT300DU60G, prezzo APTGT300DU60G, fornitore #APTGT300DU60G
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Email: [email protected]
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Codice articolo produttore: APTGT300DU60G
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Ihs Produttore: MICROSEMI CORP
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Numero pin: 7
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Microsemi Corporation
Grado di rischio: 5.16
Caratteristica aggiuntiva: AVALANCHE RATED
Collegamento case: ISOLATO
Corrente massima del collettore (IC): 430 A.
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 600 V
Configurazione: EMETTITORE COMUNE, 2 ELEMENTI CON DIODO INCORPORATO
Codice JESD-30: R-XUFM-X7
Codice JESD-609: e1
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 7
Temperatura di esercizio-Max: 175 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: NO
Finitura terminale: TIN SILVER COPPER
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Ora
Transistor bipolare a gate isolato, 430A I(C), 600V V(BR)CES, canale N, CONFORME ROHS, SP6, 7 PIN
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Ihs Produttore: MICROSEMI CORP
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Numero pin: 7
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Microsemi Corporation
Grado di rischio: 5.16
Caratteristica aggiuntiva: AVALANCHE RATED
Collegamento case: ISOLATO
Corrente massima del collettore (IC): 430 A.
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 600 V
Configurazione: EMETTITORE COMUNE, 2 ELEMENTI CON DIODO INCORPORATO
Codice JESD-30: R-XUFM-X7
Codice JESD-609: e1
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 7
Temperatura di esercizio-Max: 175 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: NO
Finitura terminale: TIN SILVER COPPER
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Ora
Transistor bipolare a gate isolato, 430A I(C), 600V V(BR)CES, canale N, CONFORME ROHS, SP6, 7 PIN