เอกสารข้อมูล:APTGT300DU60Gแคตตาล็อกผลิตภัณฑ์ด้านพลังงานรูปถ่ายสินค้า:APTGT300DU60Gแพ็คเกจมาตรฐาน:1หมวดหมู่:แยก สารกึ่งตัวนำ ผลิตภัณฑ์ครอบครัว:IGBTs - โมดูลซีรี่ส์: - ประเภท IGBT: ร่องลึกและการตั้งค่าการหยุดสนาม: แรงดันไฟฟ้าแหล่งที่มาแบบคู่ทั่วไป - ตัวสะสมตัวแยกอิมิตเตอร์ (สูงสุด): 600VVce (เปิด) (สูงสุด) @ Vge, IC:1.8V @ 15V, 300ACurrent – ตัวสะสม (IC) (สูงสุด):430Aกระแส – ตัวตัดกระแสไฟฟ้า (สูงสุด):350µAความจุอินพุต (Cies) @ Vce:24nF @ 25Vกำลัง – สูงสุด:1150Wอินพุต:มาตรฐานเทอร์มิสเตอร์ NTC:ไม่มีประเภทการติดตั้ง:ชุดติดตั้งแชสซี / เคส:SP6แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:SP6ไดนามิกแค็ตตาล็อก:APT Dual Common แหล่งที่มา โมดูล Seriesชื่ออื่นๆ:APTGT300DU60GMP-ND #APTGT300DU60G Microsemi Power Products Group APTGT300DU60G ใหม่ Insulated Gate Bipolar ทรานซิสเตอร์, 430A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, SP6, 7 PIN, APTGT300DU60G รูปภาพ, ราคา APTGT300DU60G, #APTGT300DU60G ผู้ผลิต
-----------------------
อีเมล: [email protected]
-----------------------
อีเมล: [email protected]
-----------------------
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: APTGT300DU60G
รหัส Pbfree: ใช่
รหัสวงจรชีวิตส่วนหนึ่ง: ใช้งานอยู่
ผู้ผลิต Ihs: MICROSEMI CORP
คำอธิบายแพ็คเกจ: FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
จำนวนพิน: 7
รหัส ECCN: EAR99
ผู้ผลิต: Microsemi Corporation
อันดับความเสี่ยง: 5.16
คุณสมบัติเพิ่มเติม: หิมะถล่ม rated
การเชื่อมต่อกรณี: ISOLATED
นักสะสมปัจจุบัน - สูงสุด (IC): 430 A
นักสะสม-Emitter แรงดันไฟฟ้า- สูงสุด: 600 V.
การกำหนดค่า: คอมมอนอีมิตเตอร์ 2 องค์ประกอบพร้อมไดโอดในตัว
รหัส JESD-30: R-XUFM-X7
รหัส JESD-609: e1
ระดับความไวต่อความชื้น: 1
จำนวนองค์ประกอบ: 2
จำนวนขั้ว: 7
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: 175 ° C
วัสดุของตัวเครื่องบรรจุภัณฑ์: ไม่ได้ระบุ
รูปร่างแพ็คเกจ: RECTANGULAR
รูปแบบแพ็คเกจ: FLANGE MOUNT
อุณหภูมิ Reflow สูงสุด (Cel): ไม่ได้ระบุ
ขั้ว / ประเภทช่อง: N-CHANNEL
สถานะการรับรอง: ไม่ผ่านการรับรอง
เมาท์พื้นผิว: NO
เสร็จสิ้นเทอร์มินัล: TIN SILVER COPPER
แบบฟอร์มเทอร์มินัล: ไม่ได้ระบุ
ตำแหน่งเทอร์มินัล: บน
เวลา
Insulated Gate Bipolar Transistor, 430A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, เป็นไปตามมาตรฐาน ROHS, SP6, 7 PIN
รหัส Pbfree: ใช่
รหัสวงจรชีวิตส่วนหนึ่ง: ใช้งานอยู่
ผู้ผลิต Ihs: MICROSEMI CORP
คำอธิบายแพ็คเกจ: FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
จำนวนพิน: 7
รหัส ECCN: EAR99
ผู้ผลิต: Microsemi Corporation
อันดับความเสี่ยง: 5.16
คุณสมบัติเพิ่มเติม: หิมะถล่ม rated
การเชื่อมต่อกรณี: ISOLATED
นักสะสมปัจจุบัน - สูงสุด (IC): 430 A
นักสะสม-Emitter แรงดันไฟฟ้า- สูงสุด: 600 V.
การกำหนดค่า: คอมมอนอีมิตเตอร์ 2 องค์ประกอบพร้อมไดโอดในตัว
รหัส JESD-30: R-XUFM-X7
รหัส JESD-609: e1
ระดับความไวต่อความชื้น: 1
จำนวนองค์ประกอบ: 2
จำนวนขั้ว: 7
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: 175 ° C
วัสดุของตัวเครื่องบรรจุภัณฑ์: ไม่ได้ระบุ
รูปร่างแพ็คเกจ: RECTANGULAR
รูปแบบแพ็คเกจ: FLANGE MOUNT
อุณหภูมิ Reflow สูงสุด (Cel): ไม่ได้ระบุ
ขั้ว / ประเภทช่อง: N-CHANNEL
สถานะการรับรอง: ไม่ผ่านการรับรอง
เมาท์พื้นผิว: NO
เสร็จสิ้นเทอร์มินัล: TIN SILVER COPPER
แบบฟอร์มเทอร์มินัล: ไม่ได้ระบุ
ตำแหน่งเทอร์มินัล: บน
เวลา
Insulated Gate Bipolar Transistor, 430A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, เป็นไปตามมาตรฐาน ROHS, SP6, 7 PIN