Ad haec requisita, Infineon auget DC V CoolMOS™ S600 familiam cum duabus novis optimized machinis applicationes mutandi stabilis: gradus industrialis CoolMOS S7 7 mΩ et in automotivo-gradu CoolMOS S10A.
CoolMOS S7 X mΩ unicum habet low on-resistentia (R* DS (on)pro DC V superjunction mosfets, ponens illud specimen applicationum ubi conductio minima damna critica sunt, ut off-the-states stabilium solidorum (SSR). E contra, automotivo-gradus CoolMOS S7A inscriptiones systematis perficiendi requisitis per ambitum ruptorum solidorum statutorum (SSCB) et diode parallelo/reponendo pro alta potestate/perficiendi consiliorum in applicationibus automotivis, ut Maximum voltage (HV) eFUSE, HV eDisconnectbattery disconnect switch, ac in phialas tabulas.
Productum familia explicatum est a celeberrimis CoolMOS optimizing 7 Technology suggestum. Ad hoc assequendum, fabrica aucta est ad commutationes stabiliendas et altas applicationes venas. Quam ob rem, novae machinis rationes optimae quantitatis in maximis signis qua- litatis offerre possunt, ponens vel maiora extollitur in conductione effectus, industria efficientiae, densitatis potentia, et melior scelerisque resistentia.
CoolMOS S7 10 mΩ et CoolMOS S7A abutatur cum infimo R* DS (on) in foro et optime-in-genus R- DS (on) x A x ali.
Accedit, quod fasciculum QDPAK SMD refrigeratum porttitor in summo latere inserti sunt, quod optimos mores scelerisque offert, eoque minorem alternationem in THD machinationibus ut TO-247.
Praeterea, ab THD ad superficialem machinam cum QDPAK movendo, 94 percent altitudinis reductio fieri potest, ut altiorem vim densitatis solutiones efficiat. Cum detrimenta conductionis depressa CoolMOS™ S7 10 mΩ et CoolMOS S7A, designantes magnitudinem caloris usque ad 80 cento demergi possunt et emolumenta currens et voltage- lationes sine mutatione factoris extendere possunt.
CoolMOS S7 10 mΩ et CoolMOS S7A machinis nunc in involucro TSC QDPAK ordinari possunt (HDSOP-22-1). Plura informationes praesto sunt apud www.infineon.com/s7.