เพื่อให้เป็นไปตามข้อกำหนดเหล่านี้ Infineon กำลังปรับปรุงตระกูล CoolMOS ™ S600 7 V ด้วยอุปกรณ์ที่ได้รับการปรับแต่งใหม่สำหรับการใช้งานแบบสวิตชิ่งแบบคงที่ 7 รุ่น ได้แก่ CoolMOS S10 7 mΩเกรดอุตสาหกรรมและ CoolMOS SXNUMXA สำหรับยานยนต์
CoolMOS S7 10 mΩมีความต้านทานต่ำเฉพาะ (R DS (เปิด)) สำหรับ superjunction 600 V มอสเฟตทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานที่มีการสูญเสียการนำไฟฟ้าน้อยที่สุดเป็นสิ่งสำคัญเช่นโซลิดสเตตรีเลย์ (SSR) แบบปิดชั้นวาง ในทางตรงกันข้าม CoolMOS S7A เกรดยานยนต์ตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพของระบบที่กำหนดโดยโซลิดสเตตเซอร์กิตเบรกเกอร์ (SSCB) และไดโอดขนาน / เปลี่ยนสำหรับการออกแบบพลังงาน / ประสิทธิภาพสูงในการใช้งานยานยนต์เช่น High แรงดันไฟฟ้า (HV) eFUSE, HV eDisconnectbattery disconnect switch ตลอดจนที่ชาร์จออนบอร์ด
ตระกูลผลิตภัณฑ์ได้รับการพัฒนาโดยการเพิ่มประสิทธิภาพ CoolMOS 7 อันโด่งดัง เทคโนโลยี แพลตฟอร์ม. เพื่อให้บรรลุเป้าหมายนี้ อุปกรณ์จึงได้รับการปรับปรุงสำหรับการสวิตชิ่งแบบคงที่และการใช้งานกระแสไฟสูง ด้วยเหตุนี้ อุปกรณ์ใหม่จึงสามารถเสนออัตราส่วนราคาต่อประสิทธิภาพที่ดีที่สุดในมาตรฐานคุณภาพสูงสุด โดยให้ความสำคัญกับประสิทธิภาพการนำไฟฟ้า ประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ความหนาแน่นของพลังงาน และความต้านทานความร้อนที่ได้รับการปรับปรุงให้ดียิ่งขึ้น
ชิป CoolMOS S7 10 mΩและ CoolMOS S7A มาพร้อมกับ R ต่ำสุด DS (เปิด) ในตลาดและ R ที่ดีที่สุดในระดับเดียวกัน DS (เปิด) x ก x ต้นทุน
นอกจากนี้ยังรวมอยู่ในแพ็คเกจ QDPAK SMD แบบระบายความร้อนด้านบนที่เป็นนวัตกรรมใหม่ซึ่งมีพฤติกรรมการระบายความร้อนที่ยอดเยี่ยมทำให้เป็นทางเลือกที่เล็กกว่าสำหรับอุปกรณ์ THD เช่น TO-247
ยิ่งไปกว่านั้นด้วยการย้ายจาก THD ไปยังอุปกรณ์ที่ติดตั้งบนพื้นผิวด้วย QDPAK จะสามารถลดความสูงลงได้ 94 เปอร์เซ็นต์ทำให้สามารถแก้ปัญหาความหนาแน่นของพลังงานได้สูงขึ้น ด้วยการสูญเสียการนำไฟฟ้าที่ต่ำของ CoolMOS ™ S7 10 mΩและ CoolMOS S7A นักออกแบบสามารถ จำกัด ขนาดของแผ่นระบายความร้อนได้มากถึง 80 เปอร์เซ็นต์และขยายพิกัดกระแสและแรงดันไฟฟ้าโดยไม่ต้องเปลี่ยนแปลงฟอร์มแฟกเตอร์
สามารถสั่งซื้ออุปกรณ์ CoolMOS S7 10 mΩและ CoolMOS S7A ได้ในแพ็คเกจ TSC QDPAK (HDSOP-22-1) ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ www.infineon.com/s7