Vishay Intertechnologia, Inc 17 novos Gen 3 650V SiC Schottky diodes dimisit. Praesens inducitur PIN Schottky (MPS) consilium, machinae iungunt altum aestus currentis roboris demissa deinceps voltage gutta, crimen capacitivum, et vicissim lacus current ad emendare efficientiam et constantiam in mutandi consiliorum potestate.
Diodes postero-generationis SiC comprehendunt 4A ad 40A machinas in TO-22OAC 2L et TO-247AD 3L per foramen et D²PAK 2L (TO-263AB 2L) fasciculos superficies montis. Eorum structura MPS diminuit suas deinceps intentiones guttae per 0.3V solutiones generationis comparatae, dum deinceps voltage gutta temporum capacitivum crimen - clavis FOM pro potentia efficientiae - 17% inferior est.
Diodes lacus e converso typica currentium 30% minus est ad cella temperies et 70% minus ad altas temperaturas quam solutionem proximam certandi. Hoc conductionis detrimenta decrescit, ut systematis efficientiam in levibus oneribus et sedendo altam praebeant. Dissimilis ultrafast diodes, Gen 3 machinis caudam receptam fere nullam habent, efficientiam meliorem.
Pii diodes comparati cum voltages naufragii comparandis, machinae SiC conductivity superiores scelerisque, current minus e contrario, et minus vicissitudines recuperationis reversas liberant. Diodes adversae recuperationis tempora fere sunt temperaturae-independentes, operationem in superioribus temperaturis ad +175C sine mutationibus potentiarum efficientiae inductis damna mutandis praebens.
Applicationes typicas pro machinis AC/DC PFC et DC-DC ultra altum frequentiam rectificationis in FBPS et LLC convertentes includunt ad industriam generationis et applicationes explorationis. Reliabilitatem altam tradens, RoHS-obsequiosus et halogen-liberi diodes superiores temperaturas transversas transmiserunt, cum probatione 2000 horarum et temperaturae cyclorum 2000 cyclorum scelerisque probationum. Haec duplex probatio horarum ac cyclorum AEC-Q101 requisitorum est.
View more: IGBT modules | LCD propono | electronic lacinia