A Vishay Intertechnology, Inc lançou 17 novos diodos Gen 3 650V SiC Schottky. Fornecendo um design de PIN Schottky (MPS) mesclado, os dispositivos combinam alta robustez de corrente de pico com baixo avanço Voltagem queda, carga capacitiva e corrente de fuga reversa para melhorar a eficiência e a confiabilidade nos projetos de energia de comutação.
Os diodos de SiC de última geração compreendem dispositivos de 4A a 40A nos pacotes de montagem em superfície TO-22OAC 2L e TO-247AD 3L e D²PAK 2L (TO-263AB 2L). Sua estrutura MPS diminui a queda de tensão direta em 0.3 V em comparação com as soluções da geração anterior, enquanto a queda de tensão direta vezes a carga capacitiva – um FOM chave para eficiência de energia – é 17% menor.
A corrente de fuga reversa típica dos diodos é 30% menor em temperatura ambiente e 70% menor em altas temperaturas do que a solução concorrente mais próxima. Isso diminui as perdas de condução para fornecer alta eficiência do sistema durante cargas leves e em marcha lenta. Ao contrário dos diodos ultrarrápidos, os dispositivos Gen 3 praticamente não têm cauda de recuperação, melhorando a eficiência.
Em comparação com os diodos de silício com tensões de ruptura comparáveis, os dispositivos de SiC oferecem maior condutividade térmica, menor corrente reversa e tempos de recuperação reversa mais curtos. Os tempos de recuperação reversa dos diodos são quase independentes da temperatura, permitindo a operação em temperaturas mais altas até +175C sem as mudanças na eficiência de energia induzidas por perdas de comutação.
Aplicações típicas para os dispositivos incluirão retificação de saída de alta frequência AC/DC e DC-DC em conversores FBPS e LLC para geração de energia e aplicações de exploração. Oferecendo alta confiabilidade, os diodos livres de halogênio e compatíveis com RoHS passaram no teste de polarização reversa de temperatura mais alta de 2000 horas e no teste de ciclagem de temperatura de 2000 ciclos térmicos. Isso é o dobro das horas e ciclos de teste dos requisitos AEC-Q101.
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