Vishay Interteknoloji, Inc, 17 yeni Gen 3 650V SiC Schottky diyotu piyasaya sürdü. Birleştirilmiş bir PIN Schottky (MPS) tasarımı sunan cihazlar, yüksek dalgalanma akımı sağlamlığını düşük ileri ile birleştirir Voltaj Anahtarlama güç tasarımlarında verimliliği ve güvenilirliği artırmak için düşme, kapasitif şarj ve ters kaçak akım.
Yeni nesil SiC diyotlar, TO-4OAC 40L ve TO-22AD 2L açık delik ve D²PAK 247L (TO-3AB 2L) yüzeye montaj paketlerinde 263A ila 2A cihazları içerir. MPS yapıları, önceki nesil çözümlerle karşılaştırıldığında ileri voltaj düşüşlerini 0.3 V azaltırken, güç verimliliği için önemli bir FOM olan ileri voltaj düşüş süreleri kapasitif şarj süreleri %17 daha düşüktür.
Diyotların tipik ters kaçak akımı, en yakın rakip çözüme göre oda sıcaklığında %30, yüksek sıcaklıklarda ise %70 daha düşüktür. Bu, hafif yükler ve rölanti sırasında yüksek sistem verimliliği sağlamak için iletim kayıplarını azaltır. Ultra hızlı diyotların aksine, Gen 3 cihazlarının neredeyse hiç kurtarma kuyruğu yoktur, bu da verimliliği artırır.
Karşılaştırılabilir arıza voltajlarına sahip silikon diyotlarla karşılaştırıldığında SiC cihazları daha yüksek termal iletkenlik, daha düşük ters akım ve daha kısa ters toparlanma süreleri sunar. Diyotların ters toparlanma süreleri neredeyse sıcaklıktan bağımsız olup, +175°C'ye kadar daha yüksek sıcaklıklarda, anahtarlama kayıplarından kaynaklanan güç verimliliğinde kaymalar olmadan çalışmaya olanak tanır.
Cihazların tipik uygulamaları arasında, enerji üretimi ve arama uygulamaları için FBPS ve LLC dönüştürücülerinde AC/DC PFC ve DC-DC ultra yüksek frekanslı çıkış düzeltmesi yer alacak. Yüksek güvenilirlik sunan RoHS uyumlu ve halojen içermeyen diyotlar, 2000 saatlik yüksek sıcaklık ters öngerilim testini ve 2000 termal döngülük sıcaklık döngüsü testini geçmiştir. Bu, AEC-Q101 gereksinimlerinin test saatleri ve döngülerinin iki katıdır.
Daha fazla göster : IGBT modülleri | LCD ekranlar | Elektronik Bileşenler