Fuji 1MBi2400VD-170E ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan ciri dan spesifikasi berikut: Ciri-ciri: Aplikasi: Penarafan dan Ciri Maksimum: Tork Skru Pemasangan: 3.5 N·m (Newton-meter)
FUJI 2MBI600VN-120-50 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang direka untuk aplikasi berkuasa tinggi yang memerlukan pensuisan berkelajuan tinggi dan pemacu voltan. Berikut ialah spesifikasi dan ciri modul IGBT ini: Ciri-ciri: Aplikasi: Modul FUJI 2MBI600VN-120-50 IGBT boleh digunakan dalam pelbagai aplikasi, termasuk: Penilaian dan Ciri Maksimum (pada Tc=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya):
Fuji 2MBI600VE-120 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan ciri dan keupayaan khusus yang direka untuk pelbagai aplikasi elektronik kuasa. Ciri Utama: Aplikasi: Penarafan dan Ciri Maksimum (Tc=25°C melainkan dinyatakan): Modul Fuji 2MBI600VE-120 IGBT direka bentuk untuk mengendalikan aplikasi berkuasa tinggi seperti pemacu motor, penguat, bekalan kuasa dan mesin industri. Kelajuan tingginya […]
Ciri Utama FF450R12KT4: Keajaiban Elektrik: Kehebatan Mekanikal: Penilaian dan Ciri Maksimum (Tc=25°C melainkan dinyatakan):
Modul Fuji 1MBI600PX-120 IGBT: Penyelesaian Kuasa Berprestasi Tinggi untuk Aplikasi Pelbagai Modul IGBT Fuji 1MBI600PX-120 ialah modul kuasa berprestasi tinggi yang direka untuk pelbagai aplikasi elektronik kuasa. Modul ini dilengkapi dengan ciri-ciri yang meningkatkan prestasi dan serba boleh. Ciri-ciri Aplikasi Penilaian dan Ciri Maksimum (Tc=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya) Modul 1MBI600PX-120 menawarkan […]
Ciri-ciri: Aplikasi: Penilaian dan Ciri Maksimum:
FUJI 6RI75G-160 ialah modul semikonduktor kuasa yang direka untuk aplikasi industri berkuasa tinggi. Berikut ialah spesifikasi dan ciri utama modul ini: Ciri Modul: Ciri Perlindungan Terbina Dalam: Nombor Bahagian Pengeluar: 6RI75G-160 Penerangan Pakej: Kiraan Pin R-XUFM-X5: 5 Pengeluar: Fuji Electric Co Ltd Sambungan Sarung: Konfigurasi Terpencil : Jambatan, 6 Unsur Diod Bahan Bahan: Diod Silikon […]
Modul IGBT SEMIKRON SKM400GAR12T4 ialah modul semikonduktor kuasa berprestasi tinggi yang direka untuk menuntut aplikasi berkuasa tinggi dalam bidang seperti pemacu motor, penyongsang dan bekalan kuasa. Berikut ialah ciri utama, aplikasi dan spesifikasi modul: Ciri: Ciri Utama: Aplikasi: Penarafan dan Ciri Maksimum: Gabungan keupayaan kuasa tinggi Modul SEMIKRON SKM400GAR12T4 IGBT, […]
Modul Infineon FZ600R65KF2 IGBT ialah komponen yang teguh dan berkuasa tinggi yang direka bentuk untuk pelbagai aplikasi perindustrian, menawarkan pelbagai ciri dan spesifikasi yang ketara: Ciri-ciri: Aplikasi: Penderia Suhu NTC Terbina Dalam: Penarafan dan Ciri Maksimum: Modul IGBT tinggi Infineon FZ600R65KF2 kapasiti kuasa, teknologi canggih, dan penderiaan suhu terbina dalam menjadikannya pilihan yang boleh dipercayai dan cekap […]