Modul Semikron SKKD 46/12 IGBT – Panduan Komprehensif Terokai ciri dan spesifikasi modul Semikron SKKD 46/12 IGBT, diod berprestasi tinggi dengan struktur semikonduktor dalam siri berganda. Dikilangkan oleh Semikron, modul ini direka untuk pelbagai aplikasi, memastikan kebolehpercayaan dan kecekapan. Spesifikasi Utama: Maklumat Tambahan: Diod Semikron ini, dengan […]
Modul Fuji 1MBI300N-120 IGBT: Ciri: Aplikasi: Penilaian dan Ciri Maksimum:
FS450R12KE3 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang direka untuk aplikasi berkuasa tinggi. Berikut ialah spesifikasi utama: Modul IGBT ini direka untuk mengendalikan voltan tinggi (sehingga 1200 V) dan arus tinggi (sehingga 600 A). Konfigurasi Hex menunjukkan bahawa ia terdiri daripada berbilang IGBT dalam susunan heksagon. Pakej EconoPACK+ […]
Maklumat Produk: Ciri-ciri: Penyimpanan dan Garis Panduan Pengangkutan:
Fuji 6MBP300KA060-01 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) berkuasa tinggi yang direka untuk aplikasi tugas berat. Berikut ialah spesifikasi dan ciri modul ini: Penarafan dan Ciri Maksimum (Tc=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya): Modul ini mampu mengendalikan tahap arus dan voltan yang sangat tinggi, menjadikannya sesuai untuk aplikasi seperti pemacu motor industri, [ …]
Semikron SKKD380/18 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang dikeluarkan oleh Semikron. Berikut adalah beberapa maklumat mengenai modul ini:
FUJI 2MBI600VN-120-50 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang direka untuk aplikasi berkuasa tinggi yang memerlukan pensuisan berkelajuan tinggi dan pemacu voltan. Berikut ialah spesifikasi dan ciri modul IGBT ini: Ciri-ciri: Aplikasi: Modul FUJI 2MBI600VN-120-50 IGBT boleh digunakan dalam pelbagai aplikasi, termasuk: Penilaian dan Ciri Maksimum (pada Tc=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya):
Modul IGBT Fuji 2MBI200U4H-120. Modul ini digunakan dalam aplikasi elektronik kuasa untuk menukar arus dan voltan tinggi. Berikut ialah spesifikasi utama: Penilaian Maksimum Mutlak: Maklumat Tambahan:
Fuji 2MBI600VE-120 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan ciri dan keupayaan khusus yang direka untuk pelbagai aplikasi elektronik kuasa. Ciri Utama: Aplikasi: Penarafan dan Ciri Maksimum (Tc=25°C melainkan dinyatakan): Modul Fuji 2MBI600VE-120 IGBT direka bentuk untuk mengendalikan aplikasi berkuasa tinggi seperti pemacu motor, penguat, bekalan kuasa dan mesin industri. Kelajuan tingginya […]