Jualan Email: sales@shunlongwei.com #FS450R12KE3_S1 Modul IGBT – Penarafan dan Ciri Maksimum Modul #FS450R12KE3_S1 IGBT mempunyai penarafan maksimum mutlak berikut (melainkan dinyatakan sebaliknya pada Tc=25°C):
Teknologi Infineon. Ia direka khusus untuk aplikasi pensuisan kuasa tinggi. Berikut ialah beberapa spesifikasi dan ciri utama FP15R12YT3:Pengilang: Infineon Technologies Nombor Bahagian: FP15R12YT3Jenis Modul Kuasa: IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Tertebat)Arus Pemungut Maksimum (IC): 15ACVoltan Pemancar-Pengumpul (VCE) Jumlah Lesap (VCE): 1200V. Voltan 150WGate-Emitter (VGES): +/-20VJulat Suhu: -40 hingga 150°CBerat: Tidak dinyatakanBeberapa ciri ketara […]
menukar aplikasi dan menampilkan teknologi canggih untuk operasi yang cekap dan boleh dipercayai.Pengilang: Infineon TechnologiesNombor Bahagian: FZ1000R16KF4Jenis Modul Kuasa: IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Bertebat)Arus Pemungut Maksimum (IC): 1000ACVoltan Pemancar-Pengumpul (VCE) 1600V : 9600WGate-Emitter Puncak voltan (VGES): +/-20VJulat Suhu: -40 hingga 150°CBerat: 800gKonfigurasi: Cip IGBT Tunggal Jenis Pakej: Gaya Pemasangan Modul: Pemasangan Skru Keupayaan pengendalian kuasa tinggi Pengaliran dan pensuisan rendah […]
FP15R12W1T4 ialah modul kuasa yang direka oleh Infineon Technologies. Ia adalah sebahagian daripada siri produk EconoPACK™ 2, menawarkan kepadatan kuasa tinggi dan kecekapan untuk pelbagai aplikasi elektronik kuasa. Ciri-ciri Utama: Keupayaan frekuensi pensuisan tinggi Kehilangan kuasa yang rendah Diod roda bebas pantas bersepadu Reka bentuk modul padat dan teguh Plat asas terpencil untuk prestasi terma yang lebih baik Kebolehpercayaan yang tinggi dan jangka hayat yang panjangSpesifikasi: Modul […]
Jualan Email: sales@shunlongwei.com Memperkenalkan Modul Infineon BSM200GB120DN2 IGBT, penyelesaian termaju untuk aplikasi elektronik kuasa. Modul ini adalah sebahagian daripada rangkaian luas Modul IGBT Infineon, yang terkenal dengan prestasi tinggi dan kebolehpercayaannya. Direka bentuk untuk memenuhi piawaian industri, ia menawarkan pelbagai ciri dan faedah. BSM200GB120DN2 didatangkan dalam konfigurasi Half Bridge, menjadikannya serba boleh […]
Jualan Email: sales@shunlongwei.com Infineon FZ2400R17HP4_B2 Modul IGBT Baharu Aplikasi Biasa: Ciri Elektrik: Ciri Mekanikal: Penarafan dan Ciri Maksimum: (Tc=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)
Jualan Email: sales@shunlongwei.com Memperkenalkan modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) baharu daripada Infineon, BSM75GD120DN2. Modul lanjutan ini menawarkan ciri dan spesifikasi yang mengagumkan untuk pelbagai aplikasi berkuasa tinggi. Berikut ialah beberapa butiran penting tentang modul ini: Model: BSM75GD120DN2Pengilang: Infineon TechnologiesIGBT Jenis Modul: Dwi IGBTMVoltan Pemungut-Pemancar Maksimum (Vces): Biasanya 1200VMaximum Arus Pemungut Berterusan (IC): Biasanya 75A […]
FP40R12KT3 ialah modul kuasa atau modul Transistor yang dihasilkan oleh Infineon Technologies. Modul ini tergolong dalam keluarga IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dan direka bentuk untuk aplikasi berkuasa tinggi. Berikut ialah beberapa spesifikasi dan ciri utama modul FP40R12KT3: Penarafan Kuasa 40A dan 1200VConfigurasi: Ia adalah modul suis tunggal, bermakna ia terdiri daripada satu […]
Jualan Email: sales@shunlongwei.com BSM35GP120 ialah modul trans IGBT termaju yang terkenal dengan prestasi luar biasa dan aplikasi serba boleh. Dikemas dengan pelbagai ciri yang mengagumkan, modul ini direka bentuk untuk memenuhi keperluan pemacu motor, penguat pemacu servo dan sistem bekalan kuasa yang tidak terganggu. Ciri-ciri Utama: VCE rendah(sat): Modul BSM35GP120 mempunyai […]