Teknologi Infineon. Ia direka khusus untuk aplikasi pensuisan kuasa tinggi. Berikut ialah beberapa spesifikasi dan ciri utama FP15R12YT3:
Pengilang: Infineon Technologies
Nombor Bahagian: FP15R12YT3
Kuasa Modul Jenis: IGBT (Bipolar Gerbang Bertebat Transistor)
Arus Pemungut Maksimum (IC): 15A
Pemungut-Pemancar voltan (VCE): 1200V
Jumlah Pelesapan Kuasa (Ptot): 150W
Pemancar Gerbang voltan (VGES): +/-20V
Julat Suhu: -40 hingga 150°C
Berat: Tidak dinyatakan
Beberapa ciri ketara FP15R12YT3 termasuk:
Keupayaan voltan tinggi untuk mengendalikan aplikasi berkuasa tinggi.
Kerugian pengaliran dan pensuisan yang rendah untuk kecekapan yang lebih baik.
Reka bentuk padat dan teguh untuk operasi yang boleh dipercayai.
Sesuai untuk pelbagai aplikasi termasuk kawalan motor, bekalan kuasa dan penyongsang.